半导体薄膜的选择性外延形成

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200780019831.1

申请日：

2007-05-11

公开(公告)号：

CN101454874B

公开(公告)日：

2009-06-10

发明(设计)人：

M·鲍尔 K·D·韦克斯

申请人：

申请人地址：

美国亚利桑那州

IPC主分类号：

H01L2120

IPC分类号：

代理机构：

北京纪凯知识产权代理有限公司 11245

代理人：

赵蓉民

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-06-10	公开	公开
2009-08-05	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-03-23	授权	授权
2021-04-23	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/20 登记生效日:20210409 变更事项:专利权人变更前权利人:ASM美国公司变更后权利人:ASM IP控股有限公司变更事项:地址变更前权利人:美国亚利桑那州变更后权利人:荷兰阿尔梅勒

共 50 条

[1]

使用选择性外延生长制造的半导体器件 [P].

约瑟夫·尼尔·梅雷特 ;

伊戈尔·桑金 .

中国专利 :CN102856387A ,2013-01-02

[2]

利用选择性外延工艺形成外延层的方法 [P].

何有丰 ;

胡亚兰 .

中国专利 :CN102082084A ,2011-06-01

[3]

半导体衬底及选择性生长半导体的方法 [P].

王安琦 ;

程志渊 ;

陈韬 .

中国专利 :CN105140267A ,2015-12-09

[4]

硅碳外延层的选择性形成 [P].

叶祉渊 ;

乔普拉·索拉布 ;

林启华 ;

金以宽 .

中国专利 :CN101404250B ,2009-04-08

[5]

使用外延阻止层的选择性外延 [P].

郑政玮 ;

金志焕 ;

J.A.奥特 ;

D.K.萨达纳 .

中国专利 :CN105977142B ,2016-09-28

[6]

一种制作高选择性半导体薄膜方法 [P].

叶甜春 ;

闫学锋 ;

李冬梅 ;

刘明 ;

侯成诚 ;

周文 ;

汪幸 .

中国专利 :CN102375028A ,2012-03-14

[7]

选择性外延生长方法及该方法生成的半导体结构 [P].

周亦康 ;

张庆超 .

中国专利 :CN120089591A ,2025-06-03

[8]

一种制作高选择性半导体薄膜材料的方法 [P].

李冬梅 ;

周文 ;

刘明 ;

侯成诚 ;

汪幸 ;

闫学锋 ;

谢常青 ;

霍宗亮 .

中国专利 :CN102375029A ,2012-03-14

[9]

一种高选择性半导体薄膜的制作方法 [P].

李冬梅 ;

刘明 ;

谢常青 ;

叶甜春 ;

阎学锋 ;

霍宗亮 ;

龙世兵 ;

张满红 .

中国专利 :CN102376890A ,2012-03-14

[10]

选择性外延工艺的监控方法 [P].

三重野文健 ;

涂火金 ;

何永根 ;

何有丰 .

中国专利 :CN102569041A ,2012-07-11

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