一种制作高选择性半导体薄膜方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010247702.1

申请日：

2010-08-06

公开(公告)号：

CN102375028A

公开(公告)日：

2012-03-14

发明(设计)人：

叶甜春闫学锋李冬梅刘明侯成诚周文汪幸

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

G01N2902

IPC分类号：

C08G7306

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

周国城

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-02-12	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101690504548 IPC(主分类):G01N 29/02 专利申请号:2010102477021 申请公布日:20120314
2012-03-14	公开	公开
2012-04-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101231926832 IPC(主分类):G01N 29/02 专利申请号:2010102477021 申请日:20100806

共 50 条

[1]

一种制作高选择性半导体薄膜材料的方法 [P].

李冬梅 ;

周文 ;

刘明 ;

侯成诚 ;

汪幸 ;

闫学锋 ;

谢常青 ;

霍宗亮 .

中国专利 :CN102375029A ,2012-03-14

[2]

一种高选择性半导体薄膜的制作方法 [P].

李冬梅 ;

刘明 ;

谢常青 ;

叶甜春 ;

阎学锋 ;

霍宗亮 ;

龙世兵 ;

张满红 .

中国专利 :CN102376890A ,2012-03-14

[3]

一种制作半导体薄膜材料的方法 [P].

李冬梅 ;

汪幸 ;

刘明 ;

周文 ;

侯成诚 ;

闫学锋 ;

谢常青 ;

霍宗亮 .

中国专利 :CN102375030A ,2012-03-14

[4]

一种制作半导体薄膜的方法 [P].

李冬梅 ;

汪幸 ;

刘明 ;

周文 ;

侯成诚 ;

闫学锋 ;

谢常青 ;

霍宗亮 .

中国专利 :CN102376889B ,2012-03-14

[5]

半导体薄膜的选择性外延形成 [P].

M·鲍尔 ;

K·D·韦克斯 .

中国专利 :CN101454874B ,2009-06-10

[6]

半导体衬底及选择性生长半导体的方法 [P].

王安琦 ;

程志渊 ;

陈韬 .

中国专利 :CN105140267A ,2015-12-09

[7]

选择性转移半导体元件的方法 [P].

吕志强 ;

林俊宇 ;

陈怡名 ;

林敬倍 ;

简崇训 ;

黄建富 ;

顾浩民 ;

谢明勋 ;

徐子杰 .

中国专利 :CN105359282B ,2016-02-24

[8]

一种制作复合半导体薄膜材料的方法 [P].

李冬梅 ;

侯成诚 ;

刘明 ;

周文 ;

汪幸 ;

闫学锋 ;

谢常青 ;

霍宗亮 .

中国专利 :CN102373470B ,2012-03-14

[9]

一种半导体衬底及选择性生长半导体材料的方法 [P].

程志渊 ;

陈韬 ;

王安琦 .

中国专利 :CN105140103A ,2015-12-09

[10]

半导体薄膜、气体传感器及其制作方法 [P].

李冬梅 ;

刘明 ;

谢常青 ;

周文 .

中国专利 :CN102662002A ,2012-09-12

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