一种制作半导体薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010247730.3

申请日：

2010-08-06

公开(公告)号：

CN102376889B

公开(公告)日：

2012-03-14

发明(设计)人：

李冬梅汪幸刘明周文侯成诚闫学锋谢常青霍宗亮

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L5100

IPC分类号：

G01N502

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

周国城

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-08-07	授权	授权
2012-04-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101231930696 IPC(主分类):H01L 51/00 专利申请号:2010102477303 申请日:20100806
2012-03-14	公开	公开

共 50 条

[1]

一种制作半导体薄膜材料的方法 [P].

李冬梅 ;

汪幸 ;

刘明 ;

周文 ;

侯成诚 ;

闫学锋 ;

谢常青 ;

霍宗亮 .

中国专利 :CN102375030A ,2012-03-14

[2]

一种制作高选择性半导体薄膜材料的方法 [P].

李冬梅 ;

周文 ;

刘明 ;

侯成诚 ;

汪幸 ;

闫学锋 ;

谢常青 ;

霍宗亮 .

中国专利 :CN102375029A ,2012-03-14

[3]

一种制作复合半导体薄膜材料的方法 [P].

李冬梅 ;

侯成诚 ;

刘明 ;

周文 ;

汪幸 ;

闫学锋 ;

谢常青 ;

霍宗亮 .

中国专利 :CN102373470B ,2012-03-14

[4]

一种制作高选择性半导体薄膜方法 [P].

叶甜春 ;

闫学锋 ;

李冬梅 ;

刘明 ;

侯成诚 ;

周文 ;

汪幸 .

中国专利 :CN102375028A ,2012-03-14

[5]

半导体薄膜、气体传感器及其制作方法 [P].

李冬梅 ;

刘明 ;

谢常青 ;

周文 .

中国专利 :CN102662002A ,2012-09-12

[6]

一种高选择性半导体薄膜的制作方法 [P].

李冬梅 ;

刘明 ;

谢常青 ;

叶甜春 ;

阎学锋 ;

霍宗亮 ;

龙世兵 ;

张满红 .

中国专利 :CN102376890A ,2012-03-14

[7]

一种用于声表面波传感器的半导体薄膜的成膜方法 [P].

叶甜春 ;

闫学锋 ;

李冬梅 ;

刘明 ;

侯成诚 ;

周文 ;

汪幸 ;

谢常青 ;

霍宗亮 ;

张满红 ;

龙世兵 .

中国专利 :CN102558583A ,2012-07-11

[8]

一种制造半导体薄膜的方法及其半导体薄膜 [P].

李世彬 ;

肖战菲 ;

蒋亚东 ;

吴志明 .

中国专利 :CN102800571A ,2012-11-28

[9]

半导体薄膜、半导体薄膜的制备方法和半导体元件 [P].

井上一吉 ;

宇都野太 ;

本田克典 .

中国专利 :CN103274608A ,2013-09-04

[10]

半导体薄膜、半导体薄膜的制备方法和半导体元件 [P].

井上一吉 ;

宇都野太 ;

本田克典 .

中国专利 :CN101679036A ,2010-03-24

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