一种制作半导体薄膜材料的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010247769.5

申请日：

2010-08-06

公开(公告)号：

CN102375030A

公开(公告)日：

2012-03-14

发明(设计)人：

李冬梅汪幸刘明周文侯成诚闫学锋谢常青霍宗亮

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

G01N2902

IPC分类号：

B82B300

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

周国城

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-04-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101231927028 IPC(主分类):G01N 29/02 专利申请号:2010102477695 申请日:20100806
2012-03-14	公开	公开
2014-02-12	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101690502009 IPC(主分类):G01N 29/02 专利申请号:2010102477695 申请公布日:20120314

共 50 条

[1]

一种制作半导体薄膜的方法 [P].

李冬梅 ;

汪幸 ;

刘明 ;

周文 ;

侯成诚 ;

闫学锋 ;

谢常青 ;

霍宗亮 .

中国专利 :CN102376889B ,2012-03-14

[2]

一种制作高选择性半导体薄膜材料的方法 [P].

李冬梅 ;

周文 ;

刘明 ;

侯成诚 ;

汪幸 ;

闫学锋 ;

谢常青 ;

霍宗亮 .

中国专利 :CN102375029A ,2012-03-14

[3]

一种制作复合半导体薄膜材料的方法 [P].

李冬梅 ;

侯成诚 ;

刘明 ;

周文 ;

汪幸 ;

闫学锋 ;

谢常青 ;

霍宗亮 .

中国专利 :CN102373470B ,2012-03-14

[4]

一种制作高选择性半导体薄膜方法 [P].

叶甜春 ;

闫学锋 ;

李冬梅 ;

刘明 ;

侯成诚 ;

周文 ;

汪幸 .

中国专利 :CN102375028A ,2012-03-14

[5]

一种半导体薄膜材料 [P].

郑之永 ;

谢致薇 ;

张雅丽 ;

杨元政 ;

许佳雄 .

中国专利 :CN107604333B ,2018-01-19

[6]

半导体薄膜、气体传感器及其制作方法 [P].

李冬梅 ;

刘明 ;

谢常青 ;

周文 .

中国专利 :CN102662002A ,2012-09-12

[7]

一种碳基半导体薄膜材料的制备方法 [P].

欧欣 ;

赵天成 ;

徐文慧 ;

游天桂 ;

瞿振宇 .

中国专利 :CN119517737A ,2025-02-25

[8]

一种碳银碳半导体薄膜材料的制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN106801218A ,2017-06-06

[9]

一种测量半导体薄膜材料光学带隙的方法 [P].

张晓勇 ;

郭铁 .

中国专利 :CN101609002B ,2009-12-23

[10]

一种测量半导体薄膜材料禁带宽度的方法 [P].

王珊珊 ;

杜建新 ;

朱城 ;

张鹏翔 ;

彭绍春 ;

于晓勇 ;

高培峰 ;

向卓 .

中国专利 :CN118329952B ,2024-11-29

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