一种测量半导体薄膜材料光学带隙的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910089681.2

申请日：

2009-07-29

公开(公告)号：

CN101609002B

公开(公告)日：

2009-12-23

发明(设计)人：

张晓勇郭铁

申请人：

申请人地址：

065001 河北省廊坊市经济技术开发区华祥路106号

IPC主分类号：

G01N2125

IPC分类号：

G01N2141 G01B1106

代理机构：

北京连城创新知识产权代理有限公司 11254

代理人：

刘伍堂

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-07-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101003760135 IPC(主分类):G01N 21/25 专利申请号:2009100896812 申请日:20090729
2011-09-21	授权	授权
2009-12-23	公开	公开

共 50 条

[1]

一种测量半导体薄膜材料禁带宽度的方法 [P].

王珊珊 ;

杜建新 ;

朱城 ;

张鹏翔 ;

彭绍春 ;

于晓勇 ;

高培峰 ;

向卓 .

中国专利 :CN118329952B ,2024-11-29

[2]

一种测量半导体薄膜材料禁带宽度的方法 [P].

王珊珊 ;

杜建新 ;

朱城 ;

张鹏翔 ;

彭绍春 ;

于晓勇 ;

高培峰 ;

向卓 .

中国专利 :CN118329952A ,2024-07-12

[3]

一种半导体薄膜材料 [P].

郑之永 ;

谢致薇 ;

张雅丽 ;

杨元政 ;

许佳雄 .

中国专利 :CN107604333B ,2018-01-19

[4]

一种金属及半导体薄膜材料光学常数的标定方法 [P].

邓淞文 ;

李刚 ;

孙龙 .

中国专利 :CN103575663B ,2014-02-12

[5]

一种制作半导体薄膜材料的方法 [P].

李冬梅 ;

汪幸 ;

刘明 ;

周文 ;

侯成诚 ;

闫学锋 ;

谢常青 ;

霍宗亮 .

中国专利 :CN102375030A ,2012-03-14

[6]

一种测量半导体薄膜材料第一电子亲和势的方法 [P].

王珊珊 ;

杜建新 ;

朱城 ;

彭绍春 ;

于晓勇 ;

高培峰 ;

张鹏翔 ;

张雨桐 ;

蒋浩然 .

中国专利 :CN119224027B ,2025-03-11

[7]

一种测量半导体薄膜材料第一电子亲和势的方法 [P].

王珊珊 ;

杜建新 ;

朱城 ;

彭绍春 ;

于晓勇 ;

高培峰 ;

张鹏翔 ;

张用桐 ;

蒋浩然 .

中国专利 :CN119224027A ,2024-12-31

[8]

一种半导体薄膜材料电容特性的测量方法及装置 [P].

郭天瑛 ;

郭恩祥 .

中国专利 :CN102495295B ,2012-06-13

[9]

一种减小硫化铟半导体光学带隙的方法 [P].

赵春燕 ;

张栋栋 ;

陈平 .

中国专利 :CN112201710A ,2021-01-08

[10]

一种碳基半导体薄膜材料的制备方法 [P].

欧欣 ;

赵天成 ;

徐文慧 ;

游天桂 ;

瞿振宇 .

中国专利 :CN119517737A ,2025-02-25

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