一种测量半导体薄膜材料第一电子亲和势的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411718949.5

申请日：

2024-11-28

公开(公告)号：

CN119224027A

公开(公告)日：

2024-12-31

发明(设计)人：

王珊珊杜建新朱城彭绍春于晓勇高培峰张鹏翔张用桐蒋浩然

申请人：

北京理工大学

申请人地址：

100081 北京市海淀区中关村南大街5号

IPC主分类号：

G01N23/2208

IPC分类号：

G01N23/2273

代理机构：

北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465

代理人：

万晶晶

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

北京市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-01-17	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G01N 23/2208申请日:20241128
2024-12-31	公开	公开
2025-03-11	授权	授权
2025-01-10	著录事项变更	著录事项变更IPC(主分类):G01N 23/2208变更事项:发明人变更前:王珊珊杜建新朱城彭绍春于晓勇高培峰张鹏翔张用桐蒋浩然变更后:王珊珊杜建新朱城彭绍春于晓勇高培峰张鹏翔张雨桐蒋浩然

共 50 条

[1]

一种测量半导体薄膜材料第一电子亲和势的方法 [P].

王珊珊 ;

杜建新 ;

朱城 ;

彭绍春 ;

于晓勇 ;

高培峰 ;

张鹏翔 ;

张雨桐 ;

蒋浩然 .

中国专利 :CN119224027B ,2025-03-11

[2]

一种测量半导体薄膜材料禁带宽度的方法 [P].

王珊珊 ;

杜建新 ;

朱城 ;

张鹏翔 ;

彭绍春 ;

于晓勇 ;

高培峰 ;

向卓 .

中国专利 :CN118329952B ,2024-11-29

[3]

一种测量半导体薄膜材料禁带宽度的方法 [P].

王珊珊 ;

杜建新 ;

朱城 ;

张鹏翔 ;

彭绍春 ;

于晓勇 ;

高培峰 ;

向卓 .

中国专利 :CN118329952A ,2024-07-12

[4]

一种半导体薄膜材料电容特性的测量方法及装置 [P].

郭天瑛 ;

郭恩祥 .

中国专利 :CN102495295B ,2012-06-13

[5]

一种测量半导体薄膜材料光学带隙的方法 [P].

张晓勇 ;

郭铁 .

中国专利 :CN101609002B ,2009-12-23

[6]

一种半导体薄膜材料 [P].

郑之永 ;

谢致薇 ;

张雅丽 ;

杨元政 ;

许佳雄 .

中国专利 :CN107604333B ,2018-01-19

[7]

一种制作半导体薄膜材料的方法 [P].

李冬梅 ;

汪幸 ;

刘明 ;

周文 ;

侯成诚 ;

闫学锋 ;

谢常青 ;

霍宗亮 .

中国专利 :CN102375030A ,2012-03-14

[8]

一种半导体薄膜材料的真空蒸发设备 [P].

陈菲 .

中国专利 :CN207552439U ,2018-06-29

[9]

一种半导体薄膜材料的真空蒸发设备 [P].

杨耀武 ;

苏晓燕 ;

苏怡 .

中国专利 :CN202543301U ,2012-11-21

[10]

一种碳基半导体薄膜材料的制备方法 [P].

欧欣 ;

赵天成 ;

徐文慧 ;

游天桂 ;

瞿振宇 .

中国专利 :CN119517737A ,2025-02-25

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