一种半导体薄膜材料

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710841797.1

申请日：

2017-09-18

公开(公告)号：

CN107604333B

公开(公告)日：

2018-01-19

发明(设计)人：

郑之永谢致薇张雅丽杨元政许佳雄

申请人：

申请人地址：

510062 广东省广州市越秀区东风东路729号大院

IPC主分类号：

C23C1435

IPC分类号：

C23C1408 B01J2386

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

张春水;唐京桥

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-03-10	授权	授权
2018-02-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/35 申请日:20170918
2018-01-19	公开	公开

共 50 条

[1]

一种制作半导体薄膜材料的方法 [P].

李冬梅 ;

汪幸 ;

刘明 ;

周文 ;

侯成诚 ;

闫学锋 ;

谢常青 ;

霍宗亮 .

中国专利 :CN102375030A ,2012-03-14

[2]

一种半导体薄膜材料的真空蒸发设备 [P].

陈菲 .

中国专利 :CN207552439U ,2018-06-29

[3]

一种碳基半导体薄膜材料的制备方法 [P].

欧欣 ;

赵天成 ;

徐文慧 ;

游天桂 ;

瞿振宇 .

中国专利 :CN119517737A ,2025-02-25

[4]

一种半导体薄膜材料的真空蒸发设备 [P].

杨耀武 ;

苏晓燕 ;

苏怡 .

中国专利 :CN202543301U ,2012-11-21

[5]

一种半导体Cu2ZnTiS4薄膜材料及其制备方法 [P].

丁建宁 ;

郭华飞 ;

袁宁一 ;

张克智 ;

李燕 .

中国专利 :CN105908132A ,2016-08-31

[6]

一种半导体材料、半导体薄膜及其制备方法 [P].

王庶民 ;

潘文武 ;

李耀耀 ;

王朋 ;

王凯 ;

吴晓燕 ;

崔健 .

中国专利 :CN104810454A ,2015-07-29

[7]

一种碳银碳半导体薄膜材料的制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN106801218A ,2017-06-06

[8]

一种测量半导体薄膜材料光学带隙的方法 [P].

张晓勇 ;

郭铁 .

中国专利 :CN101609002B ,2009-12-23

[9]

一种碳化硅半导体薄膜材料的制备装置 [P].

徐晶骥 ;

董国斌 ;

叶俊 .

中国专利 :CN218360269U ,2023-01-24

[10]

一种半导体薄膜材料固定胶带贴附辅助治具 [P].

唐宁明 ;

邹敏 ;

王跃清 .

中国专利 :CN223225494U ,2025-08-15

← 1 2 3 4 5 →