一种碳化硅半导体薄膜材料的制备装置

被引：0

申请号：

CN202221084016.1

申请日：

2022-05-07

公开(公告)号：

CN218360269U

公开(公告)日：

2023-01-24

发明(设计)人：

徐晶骥董国斌叶俊

申请人：

申请人地址：

200135 上海市浦东新区自由贸易试验区泰谷路85号六层601-603室

IPC主分类号：

B05B1640

IPC分类号：

B05B1302

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-24	授权	授权

共 50 条

[1]

用于碳化硅半导体薄膜材料的制备装置 [P].

袁纪文 ;

邓孟中 .

中国专利 :CN218249953U ,2023-01-10

[2]

一种碳化硅半导体薄膜材料的制备装置 [P].

杨青春 ;

李明林 ;

蔡信伟 .

中国专利 :CN215517606U ,2022-01-14

[3]

一种碳化硅薄膜成型装置与碳化硅薄膜的制备方法 [P].

刘骏 ;

蔡璐 ;

刘波 ;

王钢 ;

汪国雄 ;

张海波 .

中国专利 :CN111573678A ,2020-08-25

[4]

一种碳化硅薄膜成型装置及其碳化硅薄膜的制备工艺 [P].

汪炜喆 ;

李梅溶 ;

王创垒 ;

张梦龙 .

中国专利 :CN118146026A ,2024-06-07

[5]

碳化硅半导体基底和碳化硅半导体装置 [P].

上东秀幸 .

中国专利 :CN110137241A ,2019-08-16

[6]

碳化硅半导体晶片、碳化硅半导体芯片及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

滨野健一 ;

大野彰仁 ;

沟部卓真 ;

酒井雅 ;

木村泰广 ;

三谷阳一郎 ;

金泽孝 .

中国专利 :CN109996908B ,2019-07-09

[7]

半导体碳化硅陶瓷材料制备方法 [P].

周强 ;

高惠 ;

赵云 ;

赵雷 ;

孔云虹 ;

李平 .

中国专利 :CN118955144A ,2024-11-15

[8]

碳化硅衬底、碳化硅晶片、碳化硅半导体装置 [P].

上东秀幸 .

日本专利 :CN118374882A ,2024-07-23

[9]

一种碳化硅薄膜成型装置与碳化硅薄膜的制备方法 [P].

冯祖德 ;

姚荣迁 ;

陈立富 .

中国专利 :CN101219788A ,2008-07-16

[10]

碳化硅半导体装置，碳化硅半导体装置的制造方法以及碳化硅半导体装置的设计方法 [P].

井上徹人 ;

菅井昭彦 ;

中村俊一 .

中国专利 :CN105637643A ,2016-06-01

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