一种制作高选择性半导体薄膜材料的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010247733.7

申请日：

2010-08-06

公开(公告)号：

CN102375029A

公开(公告)日：

2012-03-14

发明(设计)人：

李冬梅周文刘明侯成诚汪幸闫学锋谢常青霍宗亮

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

G01N2902

IPC分类号：

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

周国城

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-02-12	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101690502435 IPC(主分类):G01N 29/02 专利申请号:2010102477337 申请公布日:20120314
2012-04-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101231926918 IPC(主分类):G01N 29/02 专利申请号:2010102477337 申请日:20100806
2012-03-14	公开	公开

共 50 条

[1]

一种制作高选择性半导体薄膜方法 [P].

叶甜春 ;

闫学锋 ;

李冬梅 ;

刘明 ;

侯成诚 ;

周文 ;

汪幸 .

中国专利 :CN102375028A ,2012-03-14

[2]

一种制作半导体薄膜材料的方法 [P].

李冬梅 ;

汪幸 ;

刘明 ;

周文 ;

侯成诚 ;

闫学锋 ;

谢常青 ;

霍宗亮 .

中国专利 :CN102375030A ,2012-03-14

[3]

一种高选择性半导体薄膜的制作方法 [P].

李冬梅 ;

刘明 ;

谢常青 ;

叶甜春 ;

阎学锋 ;

霍宗亮 ;

龙世兵 ;

张满红 .

中国专利 :CN102376890A ,2012-03-14

[4]

一种制作半导体薄膜的方法 [P].

李冬梅 ;

汪幸 ;

刘明 ;

周文 ;

侯成诚 ;

闫学锋 ;

谢常青 ;

霍宗亮 .

中国专利 :CN102376889B ,2012-03-14

[5]

一种制作复合半导体薄膜材料的方法 [P].

李冬梅 ;

侯成诚 ;

刘明 ;

周文 ;

汪幸 ;

闫学锋 ;

谢常青 ;

霍宗亮 .

中国专利 :CN102373470B ,2012-03-14

[6]

半导体衬底及选择性生长半导体的方法 [P].

王安琦 ;

程志渊 ;

陈韬 .

中国专利 :CN105140267A ,2015-12-09

[7]

半导体薄膜的选择性外延形成 [P].

M·鲍尔 ;

K·D·韦克斯 .

中国专利 :CN101454874B ,2009-06-10

[8]

一种半导体薄膜材料 [P].

郑之永 ;

谢致薇 ;

张雅丽 ;

杨元政 ;

许佳雄 .

中国专利 :CN107604333B ,2018-01-19

[9]

半导体材料的选择性精确蚀刻 [P].

南森·马塞尔怀特 ;

朱济 ;

杰罗姆·米歇尔·多米尼克·美莱特 ;

大卫·穆伊 ;

马克·直司·川口 ;

阿德里安·拉沃伊 .

中国专利 :CN115668463A ,2023-01-31

[10]

一种半导体衬底及选择性生长半导体材料的方法 [P].

程志渊 ;

陈韬 ;

王安琦 .

中国专利 :CN105140103A ,2015-12-09

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