氧化钨薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810707265.3

申请日：

2018-07-02

公开(公告)号：

CN109100343A

公开(公告)日：

2018-12-28

发明(设计)人：

赵倩张洪文刘广强蔡伟平

申请人：

申请人地址：

230031 安徽省合肥市蜀山湖路350号2号楼1110信箱

IPC主分类号：

G01N2165

IPC分类号：

代理机构：

合肥和瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 34118

代理人：

任岗生

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-05-11	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G01N 21/65 申请公布日:20181228
2018-12-28	公开	公开
2019-01-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 21/65 申请日:20180702

共 50 条

[1]

双相氧化钨薄膜及其制备方法 [P].

张跃 ;

毕晗 ;

廖庆亮 ;

赵璇 ;

翁帆 .

中国专利 :CN119640359A ,2025-03-18

[2]

多孔氧化钨电致变色薄膜及其制备方法 [P].

姚爱华 ;

宋艳玲 .

中国专利 :CN113264690B ,2021-08-17

[3]

纳米氧化钨水溶液的制备方法及其应用 [P].

宋玉军 ;

王荣明 ;

宋源军 .

中国专利 :CN104556232A ,2015-04-29

[4]

一种多孔氧化钨薄膜的制备方法 [P].

徐刚 ;

黄志峰 ;

黄春明 ;

徐雪青 ;

苗蕾 .

中国专利 :CN101660124B ,2010-03-03

[5]

一种氧化钨薄膜及制备方法 [P].

陈炳州 .

中国专利 :CN119926762A ,2025-05-06

[6]

一种氧化钨薄膜及其制备方法 [P].

徐玄 ;

顾进跃 ;

顾伟华 ;

李巧梅 .

中国专利 :CN105568341B ,2016-05-11

[7]

具有红外阻隔功能的氧化钨薄膜及其制备方法 [P].

金平实 ;

包山虎 ;

辛云川 ;

李荣 .

中国专利 :CN107651860A ,2018-02-02

[8]

纳米块状基多孔三氧化钨薄膜电极的制备方法以及三氧化钨薄膜电极 [P].

沈晓彦 ;

赵伟 ;

段晓菲 .

中国专利 :CN102418116A ,2012-04-18

[9]

一种非晶氧化钨薄膜的制备方法 [P].

任洋 ;

高赟 ;

周晓歌 ;

赵高扬 .

中国专利 :CN108017289B ,2018-05-11

[10]

一种微结构电致变色氧化钨薄膜的制备方法 [P].

彭寿 ;

汤永康 ;

沈洪雪 ;

李刚 ;

甘治平 ;

王晶 ;

马俊 .

中国专利 :CN117417130A ,2024-01-19

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