一种氧化钨薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610095559.6

申请日：

2016-02-22

公开(公告)号：

CN105568341B

公开(公告)日：

2016-05-11

发明(设计)人：

徐玄顾进跃顾伟华李巧梅

申请人：

申请人地址：

518000 广东省深圳市福田区深南大道1006号深圳国际创新中心C座15楼

IPC主分类号：

C25D904

IPC分类号：

C25D2112

代理机构：

广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205

代理人：

唐致明

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-05-11	公开	公开
2018-08-03	授权	授权
2020-02-11	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C25D 9/04 申请日:20160222 授权公告日:20180803 终止日期:20190222
2016-06-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101663910982 IPC(主分类):C25D 9/04 专利申请号:2016100955596 申请日:20160222

共 50 条

[1]

双相氧化钨薄膜及其制备方法 [P].

张跃 ;

毕晗 ;

廖庆亮 ;

赵璇 ;

翁帆 .

中国专利 :CN119640359A ,2025-03-18

[2]

氧化钨薄膜的制备方法 [P].

赵倩 ;

张洪文 ;

刘广强 ;

蔡伟平 .

中国专利 :CN109100343A ,2018-12-28

[3]

一种氧化钨薄膜及制备方法 [P].

陈炳州 .

中国专利 :CN119926762A ,2025-05-06

[4]

一种多孔氧化钨薄膜的制备方法 [P].

徐刚 ;

黄志峰 ;

黄春明 ;

徐雪青 ;

苗蕾 .

中国专利 :CN101660124B ,2010-03-03

[5]

一种氧化钨薄膜电极材料、制备方法及其应用 [P].

刘勇弟 ;

雷菊英 ;

周亮 ;

张金龙 ;

刘鑫鹏 ;

吴杨洁 ;

孙于清 ;

马暄骐 ;

李晶晶 .

中国专利 :CN119701929B ,2025-10-28

[6]

一种氧化钨薄膜电极材料、制备方法及其应用 [P].

刘勇弟 ;

雷菊英 ;

周亮 ;

张金龙 ;

刘鑫鹏 ;

吴杨洁 ;

孙于清 ;

马暄骐 ;

李晶晶 .

中国专利 :CN119701929A ,2025-03-28

[7]

一种利用调制反应氛围磁控溅射制备的氧化钨纳米薄膜及其制备方法 [P].

赵海朝 ;

马国政 ;

石佳东 ;

陈书赢 ;

黄克宁 ;

张庆 ;

赵佳 ;

王海斗 .

中国专利 :CN120989568A ,2025-11-21

[8]

多孔氧化钨电致变色薄膜及其制备方法 [P].

姚爱华 ;

宋艳玲 .

中国专利 :CN113264690B ,2021-08-17

[9]

一种非晶氧化钨薄膜的制备方法 [P].

任洋 ;

高赟 ;

周晓歌 ;

赵高扬 .

中国专利 :CN108017289B ,2018-05-11

[10]

具有红外阻隔功能的氧化钨薄膜及其制备方法 [P].

金平实 ;

包山虎 ;

辛云川 ;

李荣 .

中国专利 :CN107651860A ,2018-02-02

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