一种氧化钨薄膜电极材料、制备方法及其应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411907465.5

申请日：

2024-12-24

公开(公告)号：

CN119701929A

公开(公告)日：

2025-03-28

发明(设计)人：

刘勇弟雷菊英周亮张金龙刘鑫鹏吴杨洁孙于清马暄骐李晶晶

申请人：

华东理工大学

申请人地址：

200237 上海市徐汇区梅陇路130号

IPC主分类号：

B01J23/30

IPC分类号：

C02F1/72 C02F1/30 C02F1/467 B01J35/33 B01J35/39 B01J37/02 C02F101/34

代理机构：

郑州恒嘉知识产权代理事务所(普通合伙) 41240

代理人：

严静

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

上海市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-15	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):B01J 23/30申请日:20241224
2025-10-28	授权	授权
2025-03-28	公开	公开

共 50 条

[1]

一种氧化钨薄膜电极材料、制备方法及其应用 [P].

刘勇弟 ;

雷菊英 ;

周亮 ;

张金龙 ;

刘鑫鹏 ;

吴杨洁 ;

孙于清 ;

马暄骐 ;

李晶晶 .

中国专利 :CN119701929B ,2025-10-28

[2]

一种氧化钨薄膜及其制备方法 [P].

徐玄 ;

顾进跃 ;

顾伟华 ;

李巧梅 .

中国专利 :CN105568341B ,2016-05-11

[3]

双相氧化钨薄膜及其制备方法 [P].

张跃 ;

毕晗 ;

廖庆亮 ;

赵璇 ;

翁帆 .

中国专利 :CN119640359A ,2025-03-18

[4]

一种导电玻璃基体氧化钨薄膜材料制备方法 [P].

王金淑 ;

郑广伟 ;

李洪义 ;

李萍萍 ;

赵冰心 ;

张志忻 .

中国专利 :CN106698972A ,2017-05-24

[5]

一种氧化钨电致变色薄膜材料及其制备方法 [P].

张勇 ;

史英迪 ;

汤凯 ;

宋艳斌 ;

崔接武 ;

王岩 ;

秦永强 ;

舒霞 ;

吴玉程 .

中国专利 :CN110040976B ,2019-07-23

[6]

氧化钨薄膜的制备方法 [P].

赵倩 ;

张洪文 ;

刘广强 ;

蔡伟平 .

中国专利 :CN109100343A ,2018-12-28

[7]

氧化钨/碳化钛复合电极材料及其制备方法和应用 [P].

梁婕 ;

余佳棋 ;

邢文乐 ;

唐旺旺 ;

汤宁 ;

郭佳茵 .

中国专利 :CN114604945A ,2022-06-10

[8]

一种氧化钨薄膜及制备方法 [P].

陈炳州 .

中国专利 :CN119926762A ,2025-05-06

[9]

一种层状三氧化钨光电极材料及其制备方法 [P].

冯苗 ;

彭湃 ;

陈小宇 .

中国专利 :CN110054224A ,2019-07-26

[10]

碳包覆氧化钨复合电极材料及其制备方法和应用 [P].

邢文乐 ;

梁婕 ;

宛东 .

中国专利 :CN115636480A ,2023-01-24

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