一种层状三氧化钨光电极材料及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201910462266.0
申请日
2019-05-30
公开(公告)号
CN110054224A
公开(公告)日
2019-07-26
发明(设计)人
冯苗 彭湃 陈小宇
申请人
申请人地址
350108 福建省福州市闽侯县上街镇福州大学城学院路2号福州大学新区
IPC主分类号
C01G4102
IPC分类号
H01L31032
代理机构
福州元创专利商标代理有限公司 35100
代理人
饶文君;蔡学俊
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
一种锌修饰三氧化钨薄膜光电极的制备方法 [P]. 
刘丽英 ;
刘润 ;
王萍 ;
徐铸德 ;
许宜铭 .
中国专利 :CN103088381A ,2013-05-08
[2]
一种三氧化钨/钨酸锰/钨酸钴光电极材料及其制备方法和应用 [P]. 
熊贤强 ;
张晓 ;
梅优阳 ;
韩得满 ;
武承林 ;
吴琛琦 .
中国专利 :CN114808013A ,2022-07-29
[3]
一种片状三氧化钨光电极及其制备方法 [P]. 
李灿 ;
王楠 ;
施晶莹 ;
郑霄家 .
中国专利 :CN104711528A ,2015-06-17
[4]
一种铁掺杂三氧化钨光电极的制备方法 [P]. 
刘润 ;
刘丽英 ;
王萍 ;
徐铸德 ;
许宜铭 .
中国专利 :CN102691071B ,2012-09-26
[5]
一种负载纳米三氧化钨的电极材料及其制备方法 [P]. 
孙旭冬 ;
熊良斌 ;
张绍安 ;
谢锐浩 .
中国专利 :CN115841923B ,2025-11-25
[6]
三氧化钨复合光电极及其制备方法、和在光电催化分解水中的应用 [P]. 
张晓凡 ;
张炳雁 ;
孔维倩 ;
张守仁 ;
杨保成 .
中国专利 :CN107400899B ,2017-11-28
[7]
一种氧化钨薄膜电极材料、制备方法及其应用 [P]. 
刘勇弟 ;
雷菊英 ;
周亮 ;
张金龙 ;
刘鑫鹏 ;
吴杨洁 ;
孙于清 ;
马暄骐 ;
李晶晶 .
中国专利 :CN119701929B ,2025-10-28
[8]
一种氧化钨薄膜电极材料、制备方法及其应用 [P]. 
刘勇弟 ;
雷菊英 ;
周亮 ;
张金龙 ;
刘鑫鹏 ;
吴杨洁 ;
孙于清 ;
马暄骐 ;
李晶晶 .
中国专利 :CN119701929A ,2025-03-28
[9]
一种三氧化钨/聚噻吩/三氧化钨电致变色电容双功能材料及其制备方法 [P]. 
张勇 ;
史英迪 ;
吴玉程 ;
张雪茹 ;
董森宇 ;
王岩 ;
崔接武 ;
秦永强 ;
舒霞 .
中国专利 :CN111908509B ,2020-11-10
[10]
一种海胆状三氧化钨电极材料的制备方法及其应用 [P]. 
何东 ;
万俊宁 ;
何昫 ;
索辉 ;
赵纯 .
中国专利 :CN109467128B ,2019-03-15