一种三氧化钨/钨酸锰/钨酸钴光电极材料及其制备方法和应用

被引：0

申请号：

CN202210484532.1

申请日：

2022-05-06

公开(公告)号：

CN114808013A

公开(公告)日：

2022-07-29

发明(设计)人：

熊贤强张晓梅优阳韩得满武承林吴琛琦

申请人：

申请人地址：

318000 浙江省台州市椒江区市府大道1139号

IPC主分类号：

C25B11091

IPC分类号：

C25B11052 C25B104 C25B155 C03C1734 C03C1723

代理机构：

北京高沃律师事务所 11569

代理人：

申素霞

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C25B 11/091 申请日:20220506
2022-07-29	公开	公开

共 50 条

[1]

钨酸锰电极材料及其制备方法 [P].

李莉萍 ;

赵明磊 ;

李广社 .

中国专利 :CN102664105A ,2012-09-12

[2]

一种层状三氧化钨光电极材料及其制备方法 [P].

冯苗 ;

彭湃 ;

陈小宇 .

中国专利 :CN110054224A ,2019-07-26

[3]

一种三氧化钨-钒酸铋-有机酸复合光电极及其制备方法和应用 [P].

熊贤强 ;

梅优阳 ;

蔡小龙 ;

褚雨潇 ;

武承林 ;

韩得满 ;

张晓 .

中国专利 :CN114703500A ,2022-07-05

[4]

钨酸中三氧化钨的测定方法 [P].

王长基 ;

吕平 ;

钟敏 ;

蔡朝娟 ;

胡夏贇 ;

危玲 .

中国专利 :CN107607433A ,2018-01-19

[5]

高性能三氧化钨/钨酸铋薄膜及其制备方法 [P].

杨晓刚 ;

曹光明 ;

汪欣伟 ;

石运鹏 ;

金佳淇 ;

胡俊蝶 ;

曲家福 ;

李长明 ;

吴其华 ;

葛德培 .

中国专利 :CN115432939A ,2022-12-06

[6]

高性能三氧化钨/钨酸铋薄膜及其制备方法 [P].

杨晓刚 ;

曹光明 ;

汪欣伟 ;

石运鹏 ;

金佳淇 ;

胡俊蝶 ;

曲家福 ;

李长明 ;

吴其华 ;

葛德培 .

中国专利 :CN115432939B ,2024-04-09

[7]

一种片状三氧化钨光电极及其制备方法 [P].

李灿 ;

王楠 ;

施晶莹 ;

郑霄家 .

中国专利 :CN104711528A ,2015-06-17

[8]

一种二硫化钨/三氧化钨纳米花电极及其制备方法和应用 [P].

赵景开 ;

金谢喜 ;

毕俊浩 ;

卢忆 ;

冯克 ;

沈遥 ;

叶杰旭 ;

张士汉 .

中国专利 :CN119640321A ,2025-03-18

[9]

一种三氧化钨/钨酸镉纳米纤维光催化材料及其制备方法与应用 [P].

卢启芳 ;

荣凤 ;

郭恩言 ;

魏明志 .

中国专利 :CN110327914B ,2019-10-15

[10]

一种二硫化钨/三氧化钨纳米花电极及其制备方法和应用 [P].

赵景开 ;

金谢喜 ;

毕俊浩 ;

卢忆 ;

冯克 ;

沈遥 ;

叶杰旭 ;

张士汉 .

中国专利 :CN119640321B ,2025-05-06

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