高性能三氧化钨/钨酸铋薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210284369.4

申请日：

2022-03-22

公开(公告)号：

CN115432939B

公开(公告)日：

2024-04-09

发明(设计)人：

杨晓刚曹光明汪欣伟石运鹏金佳淇胡俊蝶曲家福李长明吴其华葛德培

申请人：

苏州科技大学

申请人地址：

215011 江苏省苏州市滨河路298号

IPC主分类号：

C03C17/34

IPC分类号：

C25B1/04 C25B1/55 C25B11/091

代理机构：

湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102

代理人：

张惠玲

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-04-09	授权	授权

共 50 条

[1]

高性能三氧化钨/钨酸铋薄膜及其制备方法 [P].

杨晓刚 ;

曹光明 ;

汪欣伟 ;

石运鹏 ;

金佳淇 ;

胡俊蝶 ;

曲家福 ;

李长明 ;

吴其华 ;

葛德培 .

中国专利 :CN115432939A ,2022-12-06

[2]

双相氧化钨薄膜及其制备方法 [P].

张跃 ;

毕晗 ;

廖庆亮 ;

赵璇 ;

翁帆 .

中国专利 :CN119640359A ,2025-03-18

[3]

钨酸中三氧化钨的测定方法 [P].

王长基 ;

吕平 ;

钟敏 ;

蔡朝娟 ;

胡夏贇 ;

危玲 .

中国专利 :CN107607433A ,2018-01-19

[4]

氧化钨薄膜的制备方法 [P].

赵倩 ;

张洪文 ;

刘广强 ;

蔡伟平 .

中国专利 :CN109100343A ,2018-12-28

[5]

三氧化钨 [P].

相原俊明 ;

户屋广将 .

中国专利 :CN111372894A ,2020-07-03

[6]

一种具有光催化性能的三氧化钨纳米薄膜及其制备方法 [P].

巩金龙 ;

张冀杰 ;

王拓 ;

张鹏 ;

李长江 ;

常晓侠 .

中国专利 :CN103708559A ,2014-04-09

[7]

纳米块状基多孔三氧化钨薄膜电极的制备方法以及三氧化钨薄膜电极 [P].

沈晓彦 ;

赵伟 ;

段晓菲 .

中国专利 :CN102418116A ,2012-04-18

[8]

钨酸铋薄膜的制备方法 [P].

李洁 ;

刘灿军 ;

李文章 .

中国专利 :CN104561979B ,2015-04-29

[9]

由钨精矿制备三氧化钨的方法 [P].

赵立夫 ;

李红超 ;

徐国钻 .

中国专利 :CN102642871A ,2012-08-22

[10]

由湿仲钨酸铵制备三氧化钨的方法 [P].

赵立夫 ;

刘科贵 ;

谢甫旭 ;

肖学有 ;

张玄 .

中国专利 :CN102642872A ,2012-08-22

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