一种利用调制反应氛围磁控溅射制备的氧化钨纳米薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511211032.0

申请日：

2025-08-27

公开(公告)号：

CN120989568A

公开(公告)日：

2025-11-21

发明(设计)人：

赵海朝马国政石佳东陈书赢黄克宁张庆赵佳王海斗

申请人：

中国人民解放军陆军装甲兵学院

申请人地址：

100072 北京市丰台区长辛店杜家坎21号

IPC主分类号：

C23C14/35

IPC分类号：

C23C14/08 B82Y40/00

代理机构：

北京上荣知识产权代理事务所(普通合伙) 16286

代理人：

杜衍辉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

北京市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-09	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 14/35申请日:20250827
2025-11-21	公开	公开

共 50 条

[1]

一种氧化钨薄膜及其制备方法 [P].

徐玄 ;

顾进跃 ;

顾伟华 ;

李巧梅 .

中国专利 :CN105568341B ,2016-05-11

[2]

氧化钨薄膜的制备方法 [P].

赵倩 ;

张洪文 ;

刘广强 ;

蔡伟平 .

中国专利 :CN109100343A ,2018-12-28

[3]

一种三氧化钨纳米薄膜的制备方法 [P].

李远刚 ;

冯娟 ;

李华静 ;

张卓 ;

杨淑丽 ;

史永宏 ;

魏小亮 ;

王荣荣 .

中国专利 :CN105274503A ,2016-01-27

[4]

双相氧化钨薄膜及其制备方法 [P].

张跃 ;

毕晗 ;

廖庆亮 ;

赵璇 ;

翁帆 .

中国专利 :CN119640359A ,2025-03-18

[5]

一种纳米氧化钨及其制备方法 [P].

冯浩 ;

刘鹏 ;

王鑫 ;

张振振 ;

周伟 .

中国专利 :CN118745004A ,2024-10-08

[6]

一种纳米氧化钨及其制备方法 [P].

冯浩 ;

吕爽 ;

王鑫 ;

黄毅 ;

张振振 .

中国专利 :CN118745005A ,2024-10-08

[7]

一种取向三氧化钨纳米薄膜的制备方法 [P].

陈德良 ;

张锐 ;

王海龙 ;

卢红霞 ;

许红亮 .

中国专利 :CN101318705A ,2008-12-10

[8]

一种脉冲反应磁控溅射制备氧化钒薄膜的方法 [P].

吴志明 ;

蒋亚东 ;

董翔 ;

王涛 ;

顾德恩 .

中国专利 :CN103320751A ,2013-09-25

[9]

一种氧化钨纳米线及其制备方法 [P].

曹仕秀 ;

彭玲玲 ;

韩涛 .

中国专利 :CN106745277A ,2017-05-31

[10]

一种氧化钨纳米棒及其制备方法 [P].

曹仕秀 ;

韩涛 ;

彭玲玲 ;

赵聪 .

中国专利 :CN106830086A ,2017-06-13

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