二维半导体异质结的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111168077.6

申请日：

2021-09-30

公开(公告)号：

CN113823552A

公开(公告)日：

2021-12-21

发明(设计)人：

魏钟鸣于雅俐杨珏晗刘岳阳文宏玉

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L31072 H01L31109 H01L3300 H01S532

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

王文思

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-21	公开	公开

共 50 条

[1]

一种二维/三维半导体异质结及其普适性制备方法 [P].

王立 ;

秦立云 ;

王启胜 ;

吴识腾 ;

王震东 ;

王剑宇 .

中国专利 :CN114203805A ,2022-03-18

[2]

新型二维异质结材料及其制备方法 [P].

柯福生 ;

刘晓晨 .

中国专利 :CN111153431A ,2020-05-15

[3]

硅/二维半导体异质结型光电探测器及制备方法 [P].

李春 ;

王帅 ;

兰长勇 ;

何天应 ;

郭华阳 .

中国专利 :CN107611215B ,2018-01-19

[4]

基于二维半导体异质结的日盲紫外探测器及其制备方法 [P].

邓惠雄 ;

于雅俐 ;

杨珏晗 ;

文宏玉 ;

刘力源 ;

魏钟鸣 .

中国专利 :CN117936617A ,2024-04-26

[5]

一种二维材料/半导体异质结隧穿晶体管及制备方法 [P].

黄如 ;

贾润东 ;

黄芊芊 ;

赵阳 ;

王慧敏 ;

陈诚 .

中国专利 :CN107104140A ,2017-08-29

[6]

一种二维半导体薄膜异质结的堆叠转移方法 [P].

谭化兵 ;

瞿研 ;

郭冰 .

中国专利 :CN117794331A ,2024-03-29

[7]

一种石墨烯基半导体二维异质结薄膜的制备方法 [P].

林响 ;

杜林涛 ;

张娜 ;

王菁 ;

周焱 ;

傅建树 ;

李渊 ;

翟天佑 .

中国专利 :CN121087452A ,2025-12-09

[8]

垂直二维异质结的构筑方法 [P].

胡章贵 ;

冯冠杰 ;

邱海龙 ;

吴以成 .

中国专利 :CN116005128B ,2024-03-26

[9]

基于二维半导体异质结的与/或逻辑门电路及其实现和制备方法 [P].

黄如 ;

贾润东 ;

黄芊芊 ;

陈亮 .

中国专利 :CN109300911B ,2019-02-01

[10]

一种二维材料/半导体异质结垂直隧穿晶体管及制备方法 [P].

黄如 ;

贾润东 ;

黄芊芊 ;

赵阳 ;

王慧敏 ;

陈诚 .

中国专利 :CN107248530A ,2017-10-13

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