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用于制造含锂薄膜层状结构的气相沉积方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201811234746.3
申请日：
2015-01-07
公开(公告)号：
CN109402562A
公开(公告)日：
2019-03-01
发明(设计)人：
D·C·A·史密斯 B·E·海丹 C·E·李 A·阿纳斯塔索普洛斯 L·M·伯金斯 K·J·哈钦斯
申请人：
申请人地址：
英国汉普郡
IPC主分类号：
C23C1406
IPC分类号：
C23C1408 C23C1458 C03C418 H01M404 H01M41391 H01M10052 H01M100562 H01M10058
代理机构：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038
代理人：
谭冀
法律状态：
发明专利申请公布后的视为撤回
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021-05-18 发明专利申请公布后的视为撤回 发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C 14/06 申请公布日:20190301
2019-03-01 公开 公开
2019-03-26 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/06 申请日:20150107
共 50 条
[1]
用于制造含锂薄膜层状结构的气相沉积方法 [P]. 
D·C·A·史密斯 ;
B·E·海丹 ;
C·E·李 ;
A·阿纳斯塔索普洛斯 ;
L·M·伯金斯 ;
K·J·哈钦斯 .
中国专利 :CN105849307A ,2016-08-10
[2]
用于制备晶态含锂化合物的气相沉积方法 [P]. 
D·C·A·史密斯 ;
B·E·哈伊登 ;
L·M·伯金斯 ;
C·E·李 ;
A·阿纳斯塔索普洛斯 ;
K·J·哈钦斯 ;
S·亚克勒瓦 .
中国专利 :CN105793462B ,2016-07-20
[3]
用于制备无定形含锂化合物的气相沉积法 [P]. 
B·E·哈伊登 ;
D·C·A·史密斯 ;
C·E·李 ;
A·阿纳斯塔索普洛斯 ;
矢田千寻 ;
L·M·伯金斯 ;
D·A·劳曼 .
中国专利 :CN109468595A ,2019-03-15
[4]
用于制备无定形含锂化合物的气相沉积法 [P]. 
B·E·哈伊登 ;
D·C·A·史密斯 ;
C·E·李 ;
A·阿纳斯塔索普洛斯 ;
矢田千寻 ;
L·M·伯金斯 ;
D·A·劳曼 .
中国专利 :CN105917018A ,2016-08-31
[5]
用于湿法沉积薄膜的方法 [P]. 
卡洛斯·帕兹 ;
迪米特里·利奎特 ;
塞德里克·卡尔伯格 ;
伯诺瓦·海因里希斯 ;
克里斯特勒·阿烈 .
中国专利 :CN107002248A ,2017-08-01
[6]
含锂过渡金属氧化物的制造方法 [P]. 
坂元隆宏 ;
平塚秀和 ;
有元真司 .
中国专利 :CN101679074A ,2010-03-24
[7]
低压化学气相沉积装置及薄膜制造方法 [P]. 
斋藤昌幸 .
中国专利 :CN1309860C ,2004-09-08
[8]
用于气相沉积的含钛前体 [P]. 
V·R·帕里姆 ;
C·迪萨拉 .
中国专利 :CN102482771A ,2012-05-30
[9]
用于沉积含钼薄膜的组合物、含钼薄膜制造方法和该薄膜 [P]. 
金在员 ;
崔根镐 ;
朴圭熙 ;
李相益 ;
张世珍 ;
全相勇 ;
赵要限 ;
尹智贤 ;
曹仑廷 .
韩国专利 :CN120099492A ,2025-06-06
[10]
含金属-硅的薄膜的循环化学气相沉积 [P]. 
雷新建 ;
H·思里丹达姆 ;
萧满超 ;
H·R·博文 ;
T·R·加夫尼 .
中国专利 :CN102517561B ,2012-06-27
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