用于湿法沉积薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201580068144.3

申请日：

2015-12-18

公开(公告)号：

CN107002248A

公开(公告)日：

2017-08-01

发明(设计)人：

卡洛斯·帕兹迪米特里·利奎特塞德里克·卡尔伯格伯诺瓦·海因里希斯克里斯特勒·阿烈

申请人：

申请人地址：

比利时昂日

IPC主分类号：

C23C2408

IPC分类号：

H01M404 H01M41391

代理机构：

北京安信方达知识产权代理有限公司 11262

代理人：

孙静;杨明钊

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-08-01	公开	公开
2017-11-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 24/08 申请日:20151218
2019-05-21	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C 24/08 申请公布日:20170801

共 50 条

[1]

用于制造含锂薄膜层状结构的气相沉积方法 [P].

D·C·A·史密斯 ;

B·E·海丹 ;

C·E·李 ;

A·阿纳斯塔索普洛斯 ;

L·M·伯金斯 ;

K·J·哈钦斯 .

中国专利 :CN105849307A ,2016-08-10

[2]

用于制造含锂薄膜层状结构的气相沉积方法 [P].

D·C·A·史密斯 ;

B·E·海丹 ;

C·E·李 ;

A·阿纳斯塔索普洛斯 ;

L·M·伯金斯 ;

K·J·哈钦斯 .

中国专利 :CN109402562A ,2019-03-01

[3]

在基体上沉积薄膜的方法及其应用和半导体器件及其应用 [P].

赵玉康 ;

杨元博 ;

姜奇 ;

侯树成 ;

蒋龙 ;

李立伟 ;

谢文江 .

中国专利 :CN120648986A ,2025-09-16

[4]

用于磁控溅射的薄膜精确沉积方法以及沉积薄膜 [P].

邹宇琦 ;

董骏 ;

吴华生 ;

朱昊楠 .

中国专利 :CN118308701B ,2025-02-14

[5]

用于磁控溅射的薄膜精确沉积方法以及沉积薄膜 [P].

邹宇琦 ;

董骏 ;

吴华生 ;

朱昊楠 .

中国专利 :CN118308701A ,2024-07-09

[6]

薄膜沉积系统以及沉积薄膜的方法 [P].

郑文豪 ;

戴逸明 ;

陈彦羽 ;

朱玄之 .

中国专利 :CN113005428A ,2021-06-22

[7]

用于衬底穿孔湿法沉积的预润湿方法和装置 [P].

宋享金 ;

黄俊宪 ;

黄耀贤 .

中国专利 :CN119008519A ,2024-11-22

[8]

用于薄膜沉积的装置和方法 [P].

徐祥准 ;

朴华仙 ;

郑昊均 ;

赵成珉 ;

刘址范 .

中国专利 :CN105473761A ,2016-04-06

[9]

用于沉积薄膜的设备和方法 [P].

郑石源 ;

李勇锡 ;

洪祥赫 .

中国专利 :CN103215559B ,2013-07-24

[10]

用于沉积薄膜的方法及设备 [P].

古加林 ;

郭华欣 ;

曹立春 ;

康宏 ;

方志豪 .

中国专利 :CN119162556A ,2024-12-20

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