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用于沉积薄膜的设备和方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201310011551.3
申请日
:
2013-01-11
公开(公告)号
:
CN103215559B
公开(公告)日
:
2013-07-24
发明(设计)人
:
郑石源
李勇锡
洪祥赫
申请人
:
申请人地址
:
韩国京畿道龙仁市
IPC主分类号
:
C23C1644
IPC分类号
:
C23C16455
C23C1422
C23C1412
代理机构
:
北京铭硕知识产权代理有限公司 11286
代理人
:
韩明星;刘灿强
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
引用
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2014-12-31
实质审查的生效
实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101594306575 IPC(主分类):C23C 16/44 专利申请号:2013100115513 申请日:20130111
2013-07-24
公开
公开
2017-04-26
授权
授权
共 50 条
[1]
薄膜沉积设备和利用其沉积薄膜的方法
[P].
李侑钟
论文数:
0
引用数:
0
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0
李侑钟
.
中国专利
:CN103572242A
,2014-02-12
[2]
用于沉积薄膜的设备和方法
[P].
许明洙
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0
许明洙
;
安宰弘
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安宰弘
;
韩尚辰
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0
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韩尚辰
.
中国专利
:CN1952206B
,2007-04-25
[3]
薄膜沉积设备和薄膜沉积方法
[P].
韩亚朋
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韩亚朋
;
骆金龙
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骆金龙
.
中国专利
:CN113430501A
,2021-09-24
[4]
薄膜沉积方法和薄膜沉积设备
[P].
张图
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机构:
北京北方华创微电子装备有限公司
北京北方华创微电子装备有限公司
张图
;
杨依龙
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机构:
北京北方华创微电子装备有限公司
北京北方华创微电子装备有限公司
杨依龙
.
中国专利
:CN115928034B
,2025-11-11
[5]
薄膜沉积方法和薄膜沉积设备
[P].
钱心嘉
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机构:
杭州富芯半导体有限公司
杭州富芯半导体有限公司
钱心嘉
.
中国专利
:CN117845181A
,2024-04-09
[6]
薄膜沉积设备和薄膜沉积方法
[P].
朱瑞
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机构:
拓荆科技(上海)有限公司
拓荆科技(上海)有限公司
朱瑞
;
王馨悦
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机构:
拓荆科技(上海)有限公司
拓荆科技(上海)有限公司
王馨悦
;
贾兰
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机构:
拓荆科技(上海)有限公司
拓荆科技(上海)有限公司
贾兰
;
王璐
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机构:
拓荆科技(上海)有限公司
拓荆科技(上海)有限公司
王璐
;
李疆琨
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机构:
拓荆科技(上海)有限公司
拓荆科技(上海)有限公司
李疆琨
;
李培培
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拓荆科技(上海)有限公司
拓荆科技(上海)有限公司
李培培
;
张腾
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机构:
拓荆科技(上海)有限公司
拓荆科技(上海)有限公司
张腾
.
中国专利
:CN119663249A
,2025-03-21
[7]
薄膜沉积反应腔和薄膜沉积设备
[P].
王政
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机构:
拓荆科技(上海)有限公司
拓荆科技(上海)有限公司
王政
;
柴雪
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拓荆科技(上海)有限公司
拓荆科技(上海)有限公司
柴雪
;
李晶
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机构:
拓荆科技(上海)有限公司
拓荆科技(上海)有限公司
李晶
;
田云龙
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机构:
拓荆科技(上海)有限公司
拓荆科技(上海)有限公司
田云龙
.
中国专利
:CN117448789A
,2024-01-26
[8]
薄膜沉积反应腔和薄膜沉积设备
[P].
王政
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机构:
拓荆科技(上海)有限公司
拓荆科技(上海)有限公司
王政
;
柴雪
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机构:
拓荆科技(上海)有限公司
拓荆科技(上海)有限公司
柴雪
;
李晶
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机构:
拓荆科技(上海)有限公司
拓荆科技(上海)有限公司
李晶
;
田云龙
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机构:
拓荆科技(上海)有限公司
拓荆科技(上海)有限公司
田云龙
.
中国专利
:CN117448789B
,2025-04-18
[9]
用于薄膜沉积设备的进气结构和薄膜沉积设备
[P].
毛文瑞
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机构:
江苏微导纳米科技股份有限公司
江苏微导纳米科技股份有限公司
毛文瑞
.
中国专利
:CN120666315A
,2025-09-19
[10]
用于薄膜沉积设备的进气系统和薄膜沉积设备
[P].
袁凤宝
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机构:
江苏微导纳米科技股份有限公司
江苏微导纳米科技股份有限公司
袁凤宝
;
张义明
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机构:
江苏微导纳米科技股份有限公司
江苏微导纳米科技股份有限公司
张义明
.
中国专利
:CN120291064A
,2025-07-11
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