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用于薄膜沉积设备的进气系统和薄膜沉积设备
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202510732855.1
申请日
:
2025-06-03
公开(公告)号
:
CN120291064A
公开(公告)日
:
2025-07-11
发明(设计)人
:
袁凤宝
张义明
申请人
:
江苏微导纳米科技股份有限公司
申请人地址
:
214028 江苏省无锡市新吴区长江南路27号
IPC主分类号
:
C23C16/50
IPC分类号
:
C23C16/455
代理机构
:
北京正通英泽知识产权代理有限公司 16414
代理人
:
杨雪
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
江苏省 无锡市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-07-29
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):C23C 16/50申请日:20250603
2025-07-11
公开
公开
共 50 条
[1]
用于薄膜沉积设备的进气结构和薄膜沉积设备
[P].
毛文瑞
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
江苏微导纳米科技股份有限公司
江苏微导纳米科技股份有限公司
毛文瑞
.
中国专利
:CN120666315A
,2025-09-19
[2]
进气装置、薄膜沉积设备及薄膜沉积方法
[P].
张盈盈
论文数:
0
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0
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0
机构:
深圳市昇维旭技术有限公司
深圳市昇维旭技术有限公司
张盈盈
.
中国专利
:CN117418216A
,2024-01-19
[3]
薄膜沉积设备进气模块以及薄膜沉积设备
[P].
魏薇
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0
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0
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机构:
拓荆科技股份有限公司
拓荆科技股份有限公司
魏薇
;
张赛谦
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机构:
拓荆科技股份有限公司
拓荆科技股份有限公司
张赛谦
;
刘振
论文数:
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机构:
拓荆科技股份有限公司
拓荆科技股份有限公司
刘振
;
王婷
论文数:
0
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0
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机构:
拓荆科技股份有限公司
拓荆科技股份有限公司
王婷
.
中国专利
:CN115747767B
,2025-06-03
[4]
薄膜沉积设备和薄膜沉积系统
[P].
姜敞晧
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姜敞晧
;
权铉九
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权铉九
;
玄在根
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0
玄在根
.
中国专利
:CN103097568A
,2013-05-08
[5]
薄膜沉积设备和薄膜沉积方法
[P].
韩亚朋
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韩亚朋
;
骆金龙
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骆金龙
.
中国专利
:CN113430501A
,2021-09-24
[6]
薄膜沉积设备和薄膜沉积方法
[P].
朱瑞
论文数:
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机构:
拓荆科技(上海)有限公司
拓荆科技(上海)有限公司
朱瑞
;
王馨悦
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机构:
拓荆科技(上海)有限公司
拓荆科技(上海)有限公司
王馨悦
;
贾兰
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机构:
拓荆科技(上海)有限公司
拓荆科技(上海)有限公司
贾兰
;
王璐
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机构:
拓荆科技(上海)有限公司
拓荆科技(上海)有限公司
王璐
;
李疆琨
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机构:
拓荆科技(上海)有限公司
拓荆科技(上海)有限公司
李疆琨
;
李培培
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机构:
拓荆科技(上海)有限公司
拓荆科技(上海)有限公司
李培培
;
张腾
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机构:
拓荆科技(上海)有限公司
拓荆科技(上海)有限公司
张腾
.
中国专利
:CN119663249A
,2025-03-21
[7]
进气装置及薄膜沉积设备
[P].
张盈盈
论文数:
0
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0
h-index:
0
机构:
深圳市昇维旭技术有限公司
深圳市昇维旭技术有限公司
张盈盈
.
中国专利
:CN222250965U
,2024-12-27
[8]
薄膜沉积方法和薄膜沉积设备
[P].
张图
论文数:
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机构:
北京北方华创微电子装备有限公司
北京北方华创微电子装备有限公司
张图
;
杨依龙
论文数:
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机构:
北京北方华创微电子装备有限公司
北京北方华创微电子装备有限公司
杨依龙
.
中国专利
:CN115928034B
,2025-11-11
[9]
薄膜沉积方法和薄膜沉积设备
[P].
钱心嘉
论文数:
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0
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机构:
杭州富芯半导体有限公司
杭州富芯半导体有限公司
钱心嘉
.
中国专利
:CN117845181A
,2024-04-09
[10]
用于薄膜沉积的气路切换装置和薄膜沉积设备
[P].
冯鹏
论文数:
0
引用数:
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机构:
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
冯鹏
;
鞠子辰
论文数:
0
引用数:
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机构:
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
鞠子辰
;
野沢俊久
论文数:
0
引用数:
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机构:
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
野沢俊久
.
中国专利
:CN221681192U
,2024-09-10
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