薄膜沉积系统以及沉积薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011503282.9

申请日：

2020-12-18

公开(公告)号：

CN113005428A

公开(公告)日：

2021-06-22

发明(设计)人：

郑文豪戴逸明陈彦羽朱玄之

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号

IPC主分类号：

C23C16455

IPC分类号：

C23C16458 C23C1652

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

徐金国

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/455 申请日:20201218
2021-06-22	公开	公开

共 50 条

[1]

薄膜沉积系统及薄膜沉积方法 [P].

赵小虎 ;

林茂仲 .

中国专利 :CN111295464A ,2020-06-16

[2]

薄膜沉积系统及薄膜沉积方法 [P].

杨成傑 .

中国专利 :CN103074603A ,2013-05-01

[3]

薄膜沉积系统和薄膜沉积方法 [P].

赵炳夏 ;

徐廷和 ;

金泰亨 ;

徐东均 ;

曹洙一 .

中国专利 :CN102102195A ,2011-06-22

[4]

薄膜沉积设备以及用其沉积薄膜的方法 [P].

韩政洹 .

中国专利 :CN103805941B ,2014-05-21

[5]

薄膜沉积设备和薄膜沉积系统 [P].

姜敞晧 ;

权铉九 ;

玄在根 .

中国专利 :CN103097568A ,2013-05-08

[6]

薄膜沉积设备、物理气相沉积装置以及薄膜沉积方法 [P].

程厚义 ;

艾梅尔 ;

李成 ;

杜寅昌 ;

赵巍胜 ;

姚宇暄 ;

许人友 ;

汪建 ;

王燕 .

中国专利 :CN114045468B ,2022-02-15

[7]

用于磁控溅射的薄膜精确沉积方法以及沉积薄膜 [P].

邹宇琦 ;

董骏 ;

吴华生 ;

朱昊楠 .

中国专利 :CN118308701B ,2025-02-14

[8]

用于磁控溅射的薄膜精确沉积方法以及沉积薄膜 [P].

邹宇琦 ;

董骏 ;

吴华生 ;

朱昊楠 .

中国专利 :CN118308701A ,2024-07-09

[9]

薄膜沉积设备和薄膜沉积方法 [P].

韩亚朋 ;

骆金龙 .

中国专利 :CN113430501A ,2021-09-24

[10]

薄膜沉积装置和薄膜沉积方法 [P].

李沅民 ;

杨与胜 ;

张迎春 .

中国专利 :CN101265574A ,2008-09-17

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