用于磁控溅射的薄膜精确沉积方法以及沉积薄膜

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410552181.2

申请日：

2024-05-07

公开(公告)号：

CN118308701B

公开(公告)日：

2025-02-14

发明(设计)人：

邹宇琦董骏吴华生朱昊楠

申请人：

苏州玖凌光宇科技有限公司

申请人地址：

215000 江苏省苏州市苏州工业园区凤里街272号安维智慧科技园2号楼3楼

IPC主分类号：

C23C14/35

IPC分类号：

C23C14/54

代理机构：

苏州禾润科晟知识产权代理事务所(普通合伙) 32525

代理人：

吴冕

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省苏州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-14	授权	授权
2024-07-26	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 14/35申请日:20240507
2024-07-09	公开	公开

共 50 条

[1]

用于磁控溅射的薄膜精确沉积方法以及沉积薄膜 [P].

邹宇琦 ;

董骏 ;

吴华生 ;

朱昊楠 .

中国专利 :CN118308701A ,2024-07-09

[2]

沉积薄膜的磁控溅射方法 [P].

杨敬山 .

中国专利 :CN105200379B ,2015-12-30

[3]

薄膜沉积系统以及沉积薄膜的方法 [P].

郑文豪 ;

戴逸明 ;

陈彦羽 ;

朱玄之 .

中国专利 :CN113005428A ,2021-06-22

[4]

薄膜沉积方法以及薄膜沉积装置 [P].

李锋 .

中国专利 :CN112941489A ,2021-06-11

[5]

薄膜沉积装置以及使用该薄膜沉积装置的薄膜沉积方法 [P].

姜声钟 .

中国专利 :CN103866237A ,2014-06-18

[6]

金属薄膜的薄膜沉积装置以及金属薄膜沉积方法 [P].

佐藤祐规 ;

柳本博 ;

平冈基记 .

中国专利 :CN105452539A ,2016-03-30

[7]

薄膜沉积装置和薄膜沉积方法 [P].

李沅民 ;

杨与胜 ;

张迎春 .

中国专利 :CN101265574A ,2008-09-17

[8]

用于真空溅射沉积薄膜的设备 [P].

林政乾 ;

曾德洪 .

中国专利 :CN201317805Y ,2009-09-30

[9]

薄膜沉积设备以及用其沉积薄膜的方法 [P].

韩政洹 .

中国专利 :CN103805941B ,2014-05-21

[10]

薄膜沉积装置、薄膜沉积方法及薄膜沉积设备 [P].

朱志君 ;

王晖 ;

金京俊 .

中国专利 :CN120193262A ,2025-06-24

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