沉积薄膜的磁控溅射方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410290816.2

申请日：

2014-06-25

公开(公告)号：

CN105200379B

公开(公告)日：

2015-12-30

发明(设计)人：

杨敬山

申请人：

申请人地址：

100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号

IPC主分类号：

C23C1435

IPC分类号：

代理机构：

广州华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

李芙蓉

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-03-09	授权	授权
2017-10-10	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101760611434 IPC(主分类):C23C 14/35 专利申请号:2014102908162 变更事项:申请人变更前:北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司变更后:北京北方华创微电子装备有限公司变更事项:地址变更前:100176 北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号变更后:100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
2015-12-30	公开	公开
2016-01-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101643922208 IPC(主分类):C23C 14/35 专利申请号:2014102908162 申请日:20140625

共 50 条

[1]

用于磁控溅射的薄膜精确沉积方法以及沉积薄膜 [P].

邹宇琦 ;

董骏 ;

吴华生 ;

朱昊楠 .

中国专利 :CN118308701A ,2024-07-09

[2]

用于磁控溅射的薄膜精确沉积方法以及沉积薄膜 [P].

邹宇琦 ;

董骏 ;

吴华生 ;

朱昊楠 .

中国专利 :CN118308701B ,2025-02-14

[3]

物理气相沉积设备及磁控溅射方法 [P].

王一帆 .

中国专利 :CN102453881B ,2012-05-16

[4]

磁控溅射组件、磁控溅射设备及磁控溅射方法 [P].

罗建恒 ;

杨帆 ;

耿宏伟 ;

李庆明 .

中国专利 :CN113699495A ,2021-11-26

[5]

一种采用磁控溅射沉积纳米纯Ti薄膜的方法 [P].

杨超 ;

蒋百铃 ;

曹政 ;

董丹 .

中国专利 :CN108505006A ,2018-09-07

[6]

磁控溅射装置及磁控溅射方法 [P].

王康 ;

邓慧 ;

卢胜杰 ;

张传彪 .

中国专利 :CN114107919A ,2022-03-01

[7]

磁控溅射装置和磁控溅射方法 [P].

宫下哲也 ;

中村贯人 ;

菊池祐介 .

中国专利 :CN114381700A ,2022-04-22

[8]

磁控溅射装置以及磁控溅射方法 [P].

丁冬 ;

李素华 ;

王鹏 .

中国专利 :CN109576663A ,2019-04-05

[9]

磁控溅射方法以及磁控溅射装置 [P].

姚艳双 ;

张鹤南 ;

董博宇 ;

郭冰亮 ;

张军 ;

武学伟 ;

徐宝岗 ;

崔亚欣 ;

马怀超 ;

刘绍辉 ;

王军 .

中国专利 :CN107723673A ,2018-02-23

[10]

磁控溅射装置及磁控溅射方法 [P].

苏同上 ;

王东方 ;

袁广才 .

中国专利 :CN105112873A ,2015-12-02

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