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超结MOSFET器件及芯片
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202110554780.4
申请日：
2021-05-20
公开(公告)号：
CN113327982B
公开(公告)日：
2021-08-31
发明(设计)人：
任敏
李长泽
李泽宏
林泳浩
李伟聪
申请人：
申请人地址：
518000 广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301
IPC主分类号：
H01L2978
IPC分类号：
H01L2906
代理机构：
深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651
代理人：
辛鸿飞
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-08-31 | 公开 | 公开 |
| 2022-04-15 | 授权 | 授权 |
| 2022-08-19 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 29/78 变更事项:专利权人 变更前:深圳市威兆半导体有限公司 变更后:深圳市威兆半导体股份有限公司 变更事项:地址 变更前:518000 广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301 变更后:518000 广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301 |
| 2021-09-17 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20210520 |