超结MOSFET

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210073756.X

申请日：

2012-03-20

公开(公告)号：

CN103325825B

公开(公告)日：

2013-09-25

发明(设计)人：

冯明宪王加坤门洪达李东升张伟

申请人：

申请人地址：

315800 浙江省宁波市北仑区新大路1069-2号C座402室

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2904 H01L2906 H01L21205

代理机构：

杭州杭诚专利事务所有限公司 33109

代理人：

尉伟敏

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-01-27	授权	授权
2013-09-25	公开	公开
2019-03-08	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20120320 授权公告日:20160127 终止日期:20180320
2014-02-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101571929031 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:201210073756X 申请日:20120320

共 50 条

[1]

采用屏蔽栅的超结MOSFET结构 [P].

钱振华 ;

张艳旺 .

中国专利 :CN210926026U ,2020-07-03

[2]

超结MOSFET结构 [P].

白玉明 ;

徐承福 ;

张海涛 .

中国专利 :CN206639802U ,2017-11-14

[3]

采用屏蔽栅的超结MOSFET结构和制作方法 [P].

钱振华 ;

张艳旺 .

中国专利 :CN110391302B ,2024-07-23

[4]

沟槽栅超结MOSFET器件及其制备方法 [P].

徐承福 ;

朱阳军 .

中国专利 :CN107591453A ,2018-01-16

[5]

一种超结MOSFET的制造方法 [P].

陈桥梁 ;

任文珍 ;

陈仕全 ;

马治军 ;

杜忠鹏 .

中国专利 :CN102931090B ,2013-02-13

[6]

采用屏蔽栅的超结MOSFET结构和制作方法 [P].

钱振华 ;

张艳旺 .

中国专利 :CN110391302A ,2019-10-29

[7]

超结功率MOSFET [P].

雷秀芳 ;

姜春亮 ;

赵浩宇 ;

李伟聪 ;

林泳浩 .

中国专利 :CN215731731U ,2022-02-01

[8]

超结MOSFET器件 [P].

任敏 ;

李长泽 ;

李泽宏 ;

林泳浩 ;

李伟聪 .

中国专利 :CN214848640U ,2021-11-23

[9]

离子自对准注入的超结MOSFET [P].

冯明宪 ;

王加坤 ;

门洪达 ;

李东升 ;

张伟 .

中国专利 :CN202662611U ,2013-01-09

[10]

一种超结MOSFET [P].

李伟聪 ;

姜春亮 ;

雷秀芳 .

中国专利 :CN115148791B ,2022-10-04

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