离子自对准注入的超结MOSFET

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201220104916.8

申请日：

2012-03-20

公开(公告)号：

CN202662611U

公开(公告)日：

2013-01-09

发明(设计)人：

冯明宪王加坤门洪达李东升张伟

申请人：

申请人地址：

315800 浙江省宁波市北仑区新大路1069-2号C座402室

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906

代理机构：

杭州杭诚专利事务所有限公司 33109

代理人：

尉伟敏

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-24	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/78 登记生效日:20211214 变更事项:专利权人变更前权利人:厦门天微电子有限公司变更后权利人:广西天微电子有限公司变更事项:地址变更前权利人:361000 福建省厦门市火炬高新区(翔安)产业区同龙二路585号变更后权利人:542800 广西壮族自治区贺州市生态产业园标准厂房三期3号楼
2022-04-05	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20120320 授权公告日:20130109
2013-01-09	授权	授权
2016-11-16	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101741497635 IPC(主分类):H01L 29/78 专利号:ZL2012201049168 登记生效日:20161024 变更事项:专利权人变更前权利人:宁波敏泰光电科技有限公司变更后权利人:厦门天微电子有限公司变更事项:地址变更前权利人:315800 浙江省宁波市北仑区新大路1069-2号C座402室变更后权利人:361000 福建省厦门市火炬高新区(翔安)产业区同龙二路585号

共 50 条

[1]

一种离子自对准注入的超结MOSFET及其制造方法 [P].

冯明宪 ;

王加坤 ;

门洪达 ;

李东升 ;

张伟 .

中国专利 :CN103325681A ,2013-09-25

[2]

超结MOSFET [P].

冯明宪 ;

王加坤 ;

门洪达 ;

李东升 ;

张伟 .

中国专利 :CN103325825B ,2013-09-25

[3]

低压超结MOSFET自对准工艺方法 [P].

刘挺 ;

杨乐 ;

岳玲 ;

徐西昌 .

中国专利 :CN106711047A ,2017-05-24

[4]

超结MOSFET结构 [P].

白玉明 ;

徐承福 ;

张海涛 .

中国专利 :CN206639802U ,2017-11-14

[5]

自对准双外延超结MOSFET及制造方法 [P].

黄子伦 .

中国专利 :CN119325253A ,2025-01-17

[6]

采用屏蔽栅的超结MOSFET结构 [P].

钱振华 ;

张艳旺 .

中国专利 :CN210926026U ,2020-07-03

[7]

用于形成结绝缘区域的自对准注入工艺 [P].

曾建贤 ;

伍寿国 ;

陈嘉展 ;

吴国裕 ;

杨道宏 ;

钟敏豪 .

中国专利 :CN103456789B ,2013-12-18

[8]

超结半导体的源区自对准注入方法及超结半导体结构 [P].

田俊 ;

付振 ;

张泉 ;

肖超 ;

尹强 ;

张文敏 ;

王悦 .

中国专利 :CN117612935A ,2024-02-27

[9]

一种超结MOSFET的制造方法 [P].

陈桥梁 ;

任文珍 ;

陈仕全 ;

马治军 ;

杜忠鹏 .

中国专利 :CN102931090B ,2013-02-13

[10]

超结功率MOSFET [P].

雷秀芳 ;

姜春亮 ;

赵浩宇 ;

李伟聪 ;

林泳浩 .

中国专利 :CN215731731U ,2022-02-01

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