低压超结MOSFET自对准工艺方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611103418.0

申请日：

2016-12-05

公开(公告)号：

CN106711047A

公开(公告)日：

2017-05-24

发明(设计)人：

刘挺杨乐岳玲徐西昌

申请人：

申请人地址：

710021 陕西省西安市凤城十二路1号出口加工区

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L21768

代理机构：

西安新思维专利商标事务所有限公司 61114

代理人：

李罡

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-30	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/336 申请公布日:20170524
2017-05-24	公开	公开
2017-06-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101727786966 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2016111034180 申请日:20161205

共 50 条

[1]

低压超结MOSFET栅极漏电改善方法 [P].

刘挺 ;

杨乐 ;

岳玲 ;

徐西昌 ;

杜忠鹏 .

中国专利 :CN107331620A ,2017-11-07

[2]

离子自对准注入的超结MOSFET [P].

冯明宪 ;

王加坤 ;

门洪达 ;

李东升 ;

张伟 .

中国专利 :CN202662611U ,2013-01-09

[3]

低压超结MOSFET的制造方法 [P].

岳玲 ;

刘挺 ;

杨乐 ;

徐西昌 .

中国专利 :CN105551963A ,2016-05-04

[4]

低压超结MOSFET的工艺方法 [P].

刘冬华 ;

许昭昭 ;

田甜 .

中国专利 :CN118762996A ,2024-10-11

[5]

低压超结MOSFET的工艺方法 [P].

刘冬华 ;

许昭昭 ;

田甜 .

中国专利 :CN118762996B ,2025-11-07

[6]

低压超结MOSFET栅源氧化层结构及制造方法 [P].

杨乐 ;

刘挺 ;

岳玲 .

中国专利 :CN106920752A ,2017-07-04

[7]

自对准低压超结MOFET的制造方法 [P].

杨乐 ;

刘挺 ;

岳玲 .

中国专利 :CN106206322A ,2016-12-07

[8]

自对准双外延超结MOSFET及制造方法 [P].

黄子伦 .

中国专利 :CN119325253A ,2025-01-17

[9]

超结MOSFET [P].

冯明宪 ;

王加坤 ;

门洪达 ;

李东升 ;

张伟 .

中国专利 :CN103325825B ,2013-09-25

[10]

超结MOSFET的制作方法 [P].

马万里 .

中国专利 :CN105845576A ,2016-08-10

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