隔离型LDMOS器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410652904.2

申请日：

2014-11-17

公开(公告)号：

CN104465774A

公开(公告)日：

2015-03-25

发明(设计)人：

李喆罗啸

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L21336 H01L21265

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

郭四华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-03-25	公开	公开
2017-12-05	授权	授权
2015-04-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101607383453 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2014106529042 申请日:20141117

共 50 条

[1]

隔离型N型LDMOS器件及其制造方法 [P].

陈瑜 ;

刘剑 .

中国专利 :CN103545346B ,2014-01-29

[2]

高压隔离N型LDMOS器件及其制造方法 [P].

刘剑 ;

段文婷 ;

孙尧 ;

陈瑜 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN103187435A ,2013-07-03

[3]

射频LDMOS器件及其制造方法 [P].

遇寒 ;

周正良 ;

陈曦 .

中国专利 :CN104485360B ,2015-04-01

[4]

高压完全隔离型LDMOS器件及其制造方法 [P].

陈勇 ;

陈天 ;

肖莉 ;

王黎 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN118099213A ,2024-05-28

[5]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

石晶 .

中国专利 :CN106298935A ,2017-01-04

[6]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

方磊 .

中国专利 :CN108346696A ,2018-07-31

[7]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

金锋 ;

石晶 .

中国专利 :CN104377242A ,2015-02-25

[8]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

吴孝嘉 ;

罗泽煌 ;

孙贵鹏 .

中国专利 :CN102386211B ,2012-03-21

[9]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

方磊 .

中国专利 :CN108574014B ,2018-09-25

[10]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN108878533A ,2018-11-23

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