外延碳化硅晶片用碳化硅单晶基板的制造方法以及外延碳化硅晶片用碳化硅单晶基板

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201480007779.8

申请日：

2014-05-26

公开(公告)号：

CN104981892A

公开(公告)日：

2015-10-14

发明(设计)人：

蓝乡崇伊藤涉藤本辰雄

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L21205

IPC分类号：

C30B2520 C30B2936 H01L21304

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

陈建全

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-07-13	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 21/205 登记生效日:20180626 变更事项:申请人变更前权利人:新日铁住金株式会社变更后权利人:昭和电工株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京变更后权利人:日本东京
2019-05-03	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/205 申请公布日:20151014
2015-11-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101633321740 IPC(主分类):H01L 21/205 专利申请号:2014800077798 申请日:20140526
2015-10-14	公开	公开

共 50 条

[1]

碳化硅单晶基板和碳化硅外延基板 [P].

原田真 ;

堀勉 ;

佐佐木将 ;

岸田哲也 .

中国专利 :CN109943885A ,2019-06-28

[2]

碳化硅单晶、碳化硅单晶晶片、碳化硅单晶外延晶片、电子器件 [P].

冈本武志 ;

近藤宏行 ;

金村高司 ;

宫原真一朗 ;

海老原康裕 ;

恩田正一 ;

土田秀一 ;

镰田功穗 ;

田沼良平 .

中国专利 :CN108026661A ,2018-05-11

[3]

外延碳化硅单晶晶片的制造方法以及外延碳化硅单晶晶片 [P].

蓝乡崇 ;

伊藤涉 ;

藤本辰雄 .

中国专利 :CN107002282A ,2017-08-01

[4]

碳化硅单晶锭、碳化硅晶片和碳化硅单晶的制造方法 [P].

别役洁 ;

星乃纪博 ;

镰田功穗 ;

土田秀一 ;

冈本武志 ;

神田贵裕 .

日本专利 :CN117822118A ,2024-04-05

[5]

碳化硅单晶和碳化硅单晶晶片 [P].

中林正史 ;

藤本辰雄 ;

胜野正和 ;

柘植弘志 .

中国专利 :CN106435733B ,2017-02-22

[6]

碳化硅单晶和碳化硅单晶晶片 [P].

中林正史 ;

藤本辰雄 ;

胜野正和 ;

柘植弘志 .

中国专利 :CN102187019A ,2011-09-14

[7]

晶体生长装置、碳化硅单晶的制造方法、碳化硅单晶基板和碳化硅外延基板 [P].

原田真 ;

堀勉 ;

佐佐木将 ;

岸田哲也 .

中国专利 :CN107109694A ,2017-08-29

[8]

碳化硅单晶的制造方法及碳化硅单晶基板 [P].

佐藤信也 ;

藤本辰雄 ;

胜野正和 ;

柘植弘志 ;

中林正史 .

中国专利 :CN107002281A ,2017-08-01

[9]

外延碳化硅单晶基板的制造方法 [P].

蓝乡崇 ;

柘植弘志 ;

胜野正和 ;

藤本辰雄 ;

矢代弘克 .

中国专利 :CN103228827B ,2013-07-31

[10]

碳化硅单晶基板 [P].

坂口泰之 .

中国专利 :CN102165563B ,2011-08-24

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