一种碳化硅单晶炉用压力控制系统

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610453225.1

申请日：

2016-06-22

公开(公告)号：

CN107523874A

公开(公告)日：

2017-12-29

发明(设计)人：

袁玉平闫鹏袁佳斌

申请人：

申请人地址：

214264 江苏省无锡市宜兴市芳桥街道工业集中区

IPC主分类号：

C30B2936

IPC分类号：

C30B3500

代理机构：

宜兴市天宇知识产权事务所(普通合伙) 32208

代理人：

丁骞

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-01-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/36 申请日:20160622
2017-12-29	公开	公开

共 50 条

[1]

一种碳化硅单晶炉用压力控制系统 [P].

袁玉平 ;

闫鹏 ;

袁佳斌 .

中国专利 :CN205856656U ,2017-01-04

[2]

碳化硅单晶生长炉的压力控制系统 [P].

黄鸣 ;

丁文革 .

中国专利 :CN202705569U ,2013-01-30

[3]

一种碳化硅单晶生长炉中的提纯及压力控制系统 [P].

王利杰 ;

郝建民 ;

王香泉 ;

孟大磊 ;

洪颖 ;

郭俊敏 .

中国专利 :CN201842897U ,2011-05-25

[4]

一种碳化硅单晶炉用监控系统 [P].

袁玉平 ;

闫鹏 ;

袁佳斌 .

中国专利 :CN107523873A ,2017-12-29

[5]

一种碳化硅单晶炉用监控系统 [P].

袁玉平 ;

闫鹏 ;

袁佳斌 .

中国专利 :CN205856657U ,2017-01-04

[6]

碳化硅单晶生长控制装置 [P].

林大野 ;

王治中 ;

蔡钦铭 .

中国专利 :CN215404655U ,2022-01-04

[7]

一种碳化硅单晶炉 [P].

袁玉平 ;

闫鹏 ;

袁佳斌 .

中国专利 :CN205856655U ,2017-01-04

[8]

一种碳化硅单晶炉 [P].

袁玉平 ;

闫鹏 ;

袁佳斌 .

中国专利 :CN107523871A ,2017-12-29

[9]

一种新型碳化硅单晶炉 [P].

袁玉平 ;

闫鹏 ;

袁佳斌 .

中国专利 :CN205856658U ,2017-01-04

[10]

一种新型碳化硅单晶炉 [P].

夏开展 ;

刘衍宁 ;

李继锋 ;

李笑天 ;

刘秀华 ;

李海军 ;

杨辉 .

中国专利 :CN222990283U ,2025-06-17

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