一种碳化硅单晶生长炉中的提纯及压力控制系统

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201020531069.4

申请日：

2010-09-16

公开(公告)号：

CN201842897U

公开(公告)日：

2011-05-25

发明(设计)人：

王利杰郝建民王香泉孟大磊洪颖郭俊敏

申请人：

申请人地址：

300220 天津市河西区洞庭路26号

IPC主分类号：

C30B1520

IPC分类号：

C30B2936

代理机构：

信息产业部电子专利中心 11010

代理人：

梁军

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-09-03	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B 15/20 申请日:20100916 授权公告日:20110525 终止日期:20180916
2011-05-25	授权	授权

共 50 条

[1]

碳化硅单晶生长炉的压力控制系统 [P].

黄鸣 ;

丁文革 .

中国专利 :CN202705569U ,2013-01-30

[2]

一种碳化硅单晶炉用压力控制系统 [P].

袁玉平 ;

闫鹏 ;

袁佳斌 .

中国专利 :CN205856656U ,2017-01-04

[3]

一种碳化硅单晶生长炉 [P].

陈鹏飞 ;

李嘉琪 ;

苗浩伟 ;

杨倩倩 .

中国专利 :CN220433083U ,2024-02-02

[4]

一种碳化硅单晶生长炉 [P].

吴喜成 ;

王裕鑫 ;

谢云生 .

中国专利 :CN221588753U ,2024-08-23

[5]

一种碳化硅单晶生长炉 [P].

胡动力 ;

王人松 .

中国专利 :CN217231017U ,2022-08-19

[6]

一种碳化硅单晶炉用压力控制系统 [P].

袁玉平 ;

闫鹏 ;

袁佳斌 .

中国专利 :CN107523874A ,2017-12-29

[7]

一种用于碳化硅单晶生长炉的腔体 [P].

龙博腾 ;

许耀迪 .

中国专利 :CN221028785U ,2024-05-28

[8]

碳化硅单晶的制备方法与碳化硅支撑系统与单晶生长炉 [P].

杨丽雯 ;

张云伟 ;

何丽娟 ;

程章勇 ;

康亚荣 ;

李天运 .

中国专利 :CN114438588A ,2022-05-06

[9]

一种碳化硅单晶生长炉自动装炉装置 [P].

刘欣宇 ;

袁振洲 .

中国专利 :CN214400807U ,2021-10-15

[10]

碳化硅单晶生长控制装置 [P].

林大野 ;

王治中 ;

蔡钦铭 .

中国专利 :CN215404653U ,2022-01-04

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