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一种基于背栅结构的SRAM存储单元、SRAM存储器以及上电方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202110213230.6
申请日：
2021-02-24
公开(公告)号：
CN112992221A
公开(公告)日：
2021-06-18
发明(设计)人：
李博 苏泽鑫 宿晓慧 刘凡宇 杨灿 罗家俊 韩郑生
申请人：
申请人地址：
100029 北京市朝阳区北土城西路3号
IPC主分类号：
G11C11412
IPC分类号：
G11C11417
代理机构：
北京知迪知识产权代理有限公司 11628
代理人：
王胜利
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021-07-06 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 11/412 申请日:20210224
2021-06-18 公开 公开
共 50 条
[1]
一种SRAM存储单元、SRAM存储器以及数据存储方法 [P]. 
李博 ;
苏泽鑫 ;
宿晓慧 ;
刘凡宇 ;
黄杨 ;
罗家俊 ;
韩郑生 .
中国专利 :CN112885391B ,2021-06-01
[2]
一种SRAM存储单元、SRAM存储器以及数据存储方法 [P]. 
李博 ;
苏泽鑫 ;
宿晓慧 ;
刘凡宇 ;
黄杨 ;
罗家俊 ;
韩郑生 .
中国专利 :CN112992225A ,2021-06-18
[3]
一种非对称SRAM存储单元和SRAM存储器 [P]. 
宿晓慧 ;
苏泽鑫 ;
李博 ;
王磊 ;
朱慧平 ;
罗家俊 ;
韩郑生 .
中国专利 :CN112802510A ,2021-05-14
[4]
一种SRAM存储单元、SRAM存储器及其控制方法 [P]. 
张弓 .
中国专利 :CN106558334B ,2017-04-05
[5]
一种SRAM单元结构、SRAM存储器以及上电初始化方法 [P]. 
宿晓慧 ;
苏泽鑫 ;
李博 ;
王磊 ;
郑中山 ;
罗家俊 ;
韩郑生 .
中国专利 :CN112802508A ,2021-05-14
[6]
一种SRAM单元结构、SRAM存储器以及上电初始化方法 [P]. 
宿晓慧 ;
苏泽鑫 ;
李博 ;
王磊 ;
张学文 ;
罗家俊 ;
韩郑生 .
中国专利 :CN112802509A ,2021-05-14
[7]
SRAM存储单元、SRAM存储单元写操作方法及SRAM存储器 [P]. 
赵立新 ;
董小英 ;
俞大立 ;
乔劲轩 .
中国专利 :CN103700397A ,2014-04-02
[8]
半导体结构及其形成方法、SRAM存储单元、SRAM存储器 [P]. 
邱慈云 ;
吕瑞霖 ;
蔡建祥 .
中国专利 :CN103730468B ,2014-04-16
[9]
SRAM存储单元阵列、SRAM存储器及其控制方法 [P]. 
陈金明 .
中国专利 :CN104637528A ,2015-05-20
[10]
SRAM存储单元阵列、SRAM存储器及其控制方法 [P]. 
陈金明 .
中国专利 :CN104637532A ,2015-05-20
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