一种SRAM单元结构、SRAM存储器以及上电初始化方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110114507.X

申请日：

2021-01-27

公开(公告)号：

CN112802508A

公开(公告)日：

2021-05-14

发明(设计)人：

宿晓慧苏泽鑫李博王磊郑中山罗家俊韩郑生

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

G11C514

IPC分类号：

G11C11413

代理机构：

北京知迪知识产权代理有限公司 11628

代理人：

王胜利

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 5/14 申请日:20210127
2021-05-14	公开	公开

共 50 条

[1]

一种SRAM单元结构、SRAM存储器以及上电初始化方法 [P].

宿晓慧 ;

苏泽鑫 ;

李博 ;

王磊 ;

张学文 ;

罗家俊 ;

韩郑生 .

中国专利 :CN112802509A ,2021-05-14

[2]

一种基于背栅结构的SRAM存储单元、SRAM存储器以及上电方法 [P].

李博 ;

苏泽鑫 ;

宿晓慧 ;

刘凡宇 ;

杨灿 ;

罗家俊 ;

韩郑生 .

中国专利 :CN112992221A ,2021-06-18

[3]

SRAM单元、SRAM存储器 [P].

胡剑 .

中国专利 :CN102148057A ,2011-08-10

[4]

SRAM单元和SRAM存储器 [P].

张弓 ;

李煜 .

中国专利 :CN105336359B ,2016-02-17

[5]

SRAM单元以及存储器 [P].

崔丛丛 .

中国专利 :CN118946136A ,2024-11-12

[6]

SRAM单元结构和存储器 [P].

胡宁宁 .

中国专利 :CN119110583A ,2024-12-10

[7]

SRAM单元结构和存储器 [P].

胡宁宁 .

中国专利 :CN119110583B ,2025-02-11

[8]

SRAM单元和SRAM存储器 [P].

吴浩 .

中国专利 :CN111028874A ,2020-04-17

[9]

一种SRAM单元电路及SRAM存储器 [P].

李刚 ;

马松 ;

程玉华 .

中国专利 :CN108231115A ,2018-06-29

[10]

一种非对称SRAM存储单元和SRAM存储器 [P].

宿晓慧 ;

苏泽鑫 ;

李博 ;

王磊 ;

朱慧平 ;

罗家俊 ;

韩郑生 .

中国专利 :CN112802510A ,2021-05-14

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