金属氧化物半导体及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN01125071.2

申请日：

2001-08-02

公开(公告)号：

CN1400668A

公开(公告)日：

2003-03-05

发明(设计)人：

张耀文蔡文哲卢道政

申请人：

申请人地址：

台湾省新竹科学工业园区新竹市力行路16号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

上海专利商标事务所

代理人：

任永武

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2003-03-05	公开	公开
2003-05-07	实质审查的生效	实质审查的生效
2002-01-23	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-04-06	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回

共 50 条

[1]

金属氧化物半导体输出电路及其形成方法 [P].

C·多诺万 ;

J·A·萨塞多 .

中国专利 :CN102810539A ,2012-12-05

[2]

金属氧化物半导体器件及其形成方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN102544096A ,2012-07-04

[3]

互补金属氧化物半导体及其形成方法 [P].

亚历山大·赖茨尼赛克 ;

德文德拉·K·萨德纳 ;

刘孝诚 .

中国专利 :CN101055851B ,2007-10-17

[4]

互补金属氧化物半导体及其形成方法 [P].

O·格卢斯陈克夫 ;

M·P·别良斯基 ;

J·A·曼德尔曼 ;

B·B·多里斯 .

中国专利 :CN1812101A ,2006-08-02

[5]

金属氧化物半导体装置与其形成方法 [P].

李昆鸿 ;

唐俊荣 ;

陈德智 ;

陈泰如 .

中国专利 :CN105702727B ,2016-06-22

[6]

半导体元件、互补金属氧化物半导体元件及其形成方法 [P].

洪国信 .

中国专利 :CN101154594A ,2008-04-02

[7]

互补式金属氧化物半导体元件及其形成方法 [P].

孙世伟 ;

邹世芳 ;

廖俊雄 ;

周珮玉 .

中国专利 :CN101051624A ,2007-10-10

[8]

互补式金属氧化物半导体元件及其形成方法 [P].

周珮玉 ;

杨闵杰 ;

洪文瀚 .

中国专利 :CN1979807A ,2007-06-13

[9]

金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

黄宗义 .

中国专利 :CN104518024A ,2015-04-15

[10]

金属氧化物半导体晶体管及其形成方法 [P].

张文 ;

胡伯康 ;

杰米薛佛 ;

大卫·C.·吉摩尔 ;

菲尔托宾 .

中国专利 :CN101304041B ,2008-11-12

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