共 50 条
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
使用改善的蚀刻工艺的半导体结构的制备方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410067392.7
申请日：
2023-07-25
公开(公告)号：
CN117855031A
公开(公告)日：
2024-04-09
发明(设计)人：
黄至毅
庄英政
陈琮诚
申请人：
南亚科技股份有限公司
申请人地址：
中国台湾新北市
IPC主分类号：
H01L21/033
IPC分类号：
代理机构：
隆天知识产权代理有限公司 72003
代理人：
李南山
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-04-26 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/033申请日:20230725 |
| 2024-04-09 | 公开 | 公开 |