使用改善的蚀刻制程的半导体结构的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310916830.8

申请日：

2023-07-25

公开(公告)号：

CN117637447A

公开(公告)日：

2024-03-01

发明(设计)人：

黄至毅庄英政陈琮诚

申请人：

南亚科技股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新北市

IPC主分类号：

H01L21/033

IPC分类号：

代理机构：

隆天知识产权代理有限公司 72003

代理人：

李南山

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-03-01	公开	公开
2024-03-19	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/033申请日:20230725

共 50 条

[1]

使用改善的蚀刻工艺的半导体结构的制备方法 [P].

黄至毅 ;

庄英政 ;

陈琮诚 .

中国专利 :CN117855031A ,2024-04-09

[2]

使用蚀刻气体蚀刻半导体结构的方法 [P].

R·古普塔 ;

V·R·帕里姆 ;

V·苏尔拉 ;

C·安德森 ;

N·斯塔福德 .

法国专利 :CN111261512B ,2024-02-06

[3]

使用蚀刻气体蚀刻半导体结构的方法 [P].

R·古普塔 ;

V·R·帕里姆 ;

V·苏尔拉 ;

C·安德森 ;

N·斯塔福德 .

中国专利 :CN111261512A ,2020-06-09

[4]

使用蚀刻气体蚀刻半导体结构的方法 [P].

R·古普塔 ;

V·R·帕里姆 ;

V·苏尔拉 ;

C·安德森 ;

N·斯塔福德 .

中国专利 :CN105580116B ,2016-05-11

[5]

半导体工艺常温铝蚀刻制程 [P].

魏臻 .

中国专利 :CN103774148B ,2014-05-07

[6]

制造半导体结构的蚀刻溶液与使用蚀刻溶液制造半导体结构的方法 [P].

李中杰 .

中国专利 :CN111106002A ,2020-05-05

[7]

制造半导体结构的蚀刻溶液与使用蚀刻溶液制造半导体结构的方法 [P].

李中杰 .

中国专利 :CN111106002B ,2024-02-23

[8]

半导体结构的蚀刻方法 [P].

刘艳杰 ;

杜兵 ;

刘来教 ;

顾海龙 ;

黄清俊 ;

谈文毅 .

中国专利 :CN119517741A ,2025-02-25

[9]

使用湿法蚀刻和干法蚀刻制造半导体器件的方法以及半导体器件 [P].

S·罗伊 ;

M·达伊内塞 ;

M·埃曼 ;

楢桥浩 ;

J·施拉明格 ;

K·泰希曼 ;

S·瓦布尼格 .

中国专利 :CN114792627A ,2022-07-26

[10]

半导体结构、掩模版组及光刻制程的监测方法 [P].

徐丹 ;

刘小平 ;

廖君玮 .

中国专利 :CN119381383A ,2025-01-28

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