具有电压调节功能的半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311341177.3

申请日：

2023-10-13

公开(公告)号：

CN117914303A

公开(公告)日：

2024-04-19

发明(设计)人：

金彦局全灿熙

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H03K19/0175

IPC分类号：

H03K19/0185 H03K19/003

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

吴晓兵;倪斌

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-04-19	公开	公开
2025-10-21	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H03K 19/0175申请日:20231013

共 50 条

[1]

具有电压检测功能的功率半导体器件 [P].

李泽宏 ;

杨洋 ;

赵一尚 ;

黄龄萱 ;

夏梓铭 ;

王彤阳 ;

刘小菡 ;

陈雨佳 .

中国专利 :CN115394756A ,2022-11-25

[2]

具有电压生成电路的半导体器件 [P].

佐野真也 ;

高桥保彦 ;

掘口真志 .

中国专利 :CN103488234A ,2014-01-01

[3]

具有高击穿电压的半导体器件 [P].

江本孝朗 ;

盐见武夫 .

中国专利 :CN85106895B ,1987-03-11

[4]

具有电压生成电路的半导体器件 [P].

佐野真也 ;

高桥保彦 ;

堀口真志 .

中国专利 :CN106951020A ,2017-07-14

[5]

具有电压补偿结构的半导体器件 [P].

H-J.舒尔策 ;

H.韦伯 .

中国专利 :CN102856208A ,2013-01-02

[6]

半导体器件和偏移电压调节方法 [P].

福原淳 ;

满田刚 .

中国专利 :CN101364120B ,2009-02-11

[7]

具有提高的击穿电压的半导体器件 [P].

渡边武人 .

中国专利 :CN1767191A ,2006-05-03

[8]

半导体器件和电压调节器 [P].

木村圭一 ;

高井正巳 .

中国专利 :CN1552098A ,2004-12-01

[9]

具有低夹断电压的半导体器件 [P].

傅达平 ;

连延杰 .

中国专利 :CN114784116A ,2022-07-22

[10]

具有电压反馈电路的半导体器件 [P].

山本勋 ;

石川裕之 ;

宫长晃一 .

中国专利 :CN100501630C ,2006-08-23

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