具有电压生成电路的半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310232130.3

申请日：

2013-06-07

公开(公告)号：

CN103488234A

公开(公告)日：

2014-01-01

发明(设计)人：

佐野真也高桥保彦掘口真志

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

G05F1567

IPC分类号：

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

王茂华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-07-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101615828745 IPC(主分类):G05F 1/567 专利申请号:2013102321303 申请日:20130607
2014-07-30	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101703474378 IPC(主分类):G05F 1/567 专利申请号:2013102321303 变更事项:发明人变更前:佐野真也;高桥保彦;掘口真志变更后:佐野真也;高桥保彦;堀口真志
2014-01-01	公开	公开
2019-05-21	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G05F 1/567 申请日:20130607 授权公告日:20170322 终止日期:20180607
2015-10-28	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101722568984 IPC(主分类):G05F 1/567 专利申请号:2013102321303 变更事项:申请人变更前:瑞萨电子株式会社变更后:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川县变更后:日本东京都
2017-03-22	授权	授权

共 50 条

[1]

具有电压生成电路的半导体器件 [P].

佐野真也 ;

高桥保彦 ;

堀口真志 .

中国专利 :CN106951020A ,2017-07-14

[2]

具有电压反馈电路的半导体器件 [P].

山本勋 ;

石川裕之 ;

宫长晃一 .

中国专利 :CN100501630C ,2006-08-23

[3]

生成内部电压的半导体器件 [P].

慎允宰 ;

金旻贞 .

韩国专利 :CN118800292A ,2024-10-18

[4]

半导体器件的时钟生成电路 [P].

金光淳 .

中国专利 :CN112994666A ,2021-06-18

[5]

电压变换电路和半导体器件 [P].

森川佳直 .

中国专利 :CN1463078A ,2003-12-24

[6]

半导体器件和具有该半导体器件的逆变器电路 [P].

福田丰 ;

都筑幸夫 .

中国专利 :CN101431075B ,2009-05-13

[7]

具有保护电路的半导体器件 [P].

本庄敦 ;

平冈孝之 .

中国专利 :CN1614778A ,2005-05-11

[8]

具有高击穿电压的半导体器件 [P].

江本孝朗 ;

盐见武夫 .

中国专利 :CN85106895B ,1987-03-11

[9]

具有电压调节功能的半导体器件 [P].

金彦局 ;

全灿熙 .

韩国专利 :CN117914303A ,2024-04-19

[10]

具有电压补偿结构的半导体器件 [P].

H-J.舒尔策 ;

H.韦伯 .

中国专利 :CN102856208A ,2013-01-02

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