半导体器件和具有该半导体器件的逆变器电路

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810174833.4

申请日：

2008-11-07

公开(公告)号：

CN101431075B

公开(公告)日：

2009-05-13

发明(设计)人：

福田丰都筑幸夫

申请人：

申请人地址：

日本爱知县

IPC主分类号：

H01L2706

IPC分类号：

H02M7537

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

邬少俊

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-07-08	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-05-13	公开	公开
2012-06-20	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

福井雄司 ;

疋田智之 ;

榎本修治 ;

吉野和彦 .

中国专利 :CN101351892B ,2009-01-21

[2]

半导体器件和包括该器件的半导体电路 [P].

约翰·谷内 .

中国专利 :CN105993078A ,2016-10-05

[3]

半导体电路和半导体器件 [P].

寺岛知秀 .

中国专利 :CN1222038C ,2003-06-25

[4]

半导体器件和逆变器 [P].

O·黑贝伦 ;

E·珀森 ;

R·加尔格 .

中国专利 :CN112750814A ,2021-05-04

[5]

半导体器件和逆变器 [P].

O·黑贝伦 ;

E·珀森 ;

R·加尔格 .

:CN112750814B ,2025-11-18

[6]

半导体器件和用于生产该半导体器件的方法 [P].

F.希尔勒 ;

A.毛德 ;

H-J.舒尔策 .

中国专利 :CN104103690A ,2014-10-15

[7]

半导体器件和具有该半导体器件的半导体封装件 [P].

高永权 ;

许埈荣 ;

姜芸炳 ;

李慈娟 .

中国专利 :CN110729279A ,2020-01-24

[8]

半导体器件和具有该半导体器件的半导体封装件 [P].

高永权 ;

许埈荣 ;

姜芸炳 ;

李慈娟 .

韩国专利 :CN110729279B ,2024-12-13

[9]

半导体器件以及使用该半导体器件的SiP器件 [P].

金子贵昭 ;

井上尚也 ;

林喜宏 .

中国专利 :CN103035642A ,2013-04-10

[10]

半导体电路以及使用该半导体电路的半导体器件 [P].

高取宪一 .

中国专利 :CN101127352B ,2008-02-20

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