半导体器件和用于生产该半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410144330.8

申请日：

2014-04-11

公开(公告)号：

CN104103690A

公开(公告)日：

2014-10-15

发明(设计)人：

F.希尔勒 A.毛德 H-J.舒尔策

申请人：

申请人地址：

奥地利菲拉赫

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2910 H01L21336

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

张涛;徐红燕

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-10-15	公开	公开
2019-03-29	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20140411 授权公告日:20170412 终止日期:20180411
2017-04-12	授权	授权
2014-11-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101588367254 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2014101443308 申请日:20140411

共 50 条

[1]

用于制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

P·伊尔西格勒 ;

J·鲍姆加特尔 ;

M·聪德尔 ;

A·毛德 ;

F·希尔勒 ;

R·威斯 .

中国专利 :CN104752492A ,2015-07-01

[2]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

福井雄司 ;

疋田智之 ;

榎本修治 ;

吉野和彦 .

中国专利 :CN101351892B ,2009-01-21

[3]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

真利子岳比郎 ;

冈本康宏 ;

长濑仙一郎 .

中国专利 :CN115642172A ,2023-01-24

[4]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

小森重树 .

中国专利 :CN1893002A ,2007-01-10

[5]

半导体器件和用于生产半导体器件的方法 [P].

A·福克尔 ;

H·韦伯 ;

T·F·W·霍克鲍尔 .

中国专利 :CN115706168A ,2023-02-17

[6]

半导体器件和用于制造该半导体器件的方法 [P].

姜德昇 ;

权相德 ;

金奇范 .

韩国专利 :CN118841404A ,2024-10-25

[7]

半导体器件和用于制造该半导体器件的方法 [P].

宫入秀和 ;

长多刚 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN102197490A ,2011-09-21

[8]

半导体器件和用于制造该半导体器件的方法 [P].

宫入秀和 ;

长多刚 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN102386236A ,2012-03-21

[9]

半导体器件和用于制造该半导体器件的方法 [P].

小山正人 ;

西山彰 ;

土屋义规 ;

市原玲华 .

中国专利 :CN1828902A ,2006-09-06

[10]

半导体器件和用于制造该半导体器件的方法 [P].

宫入秀和 ;

长多刚 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN102509736A ,2012-06-20

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