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生成内部电压的半导体器件

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202310978123.1
申请日：
2023-08-03
公开(公告)号：
CN118800292A
公开(公告)日：
2024-10-18
发明(设计)人：
慎允宰 金旻贞
申请人：
爱思开海力士有限公司
申请人地址：
韩国京畿道
IPC主分类号：
G11C11/4074
IPC分类号：
代理机构：
北京弘权知识产权代理有限公司 11363
代理人：
许伟群;毋二省
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-10-18 公开 公开
2024-11-05 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):G11C 11/4074申请日:20230803
共 50 条
[1]
用于驱动内部电压的电压生成电路和半导体装置 [P]. 
金善弘 ;
金京兑 .
韩国专利 :CN119960539A ,2025-05-09
[2]
具有电压生成电路的半导体器件 [P]. 
佐野真也 ;
高桥保彦 ;
掘口真志 .
中国专利 :CN103488234A ,2014-01-01
[3]
具有电压生成电路的半导体器件 [P]. 
佐野真也 ;
高桥保彦 ;
堀口真志 .
中国专利 :CN106951020A ,2017-07-14
[4]
具备内部电压发生电路的半导体器件 [P]. 
秋山实邦子 ;
伊贺上太 ;
吉永贤司 ;
松村雅司 ;
森下玄 .
中国专利 :CN101038786A ,2007-09-19
[5]
半导体存储器件及其阵列内部电源电压产生方法 [P]. 
徐恩圣 .
中国专利 :CN100555449C ,2006-02-15
[6]
半导体器件和包括半导体器件的半导体系统 [P]. 
崔永根 .
中国专利 :CN105321549A ,2016-02-10
[7]
半导体器件和半导体器件的制备方法 [P]. 
曹堪宇 ;
杜国安 ;
邓放心 ;
曹宇 .
中国专利 :CN118973260A ,2024-11-15
[8]
半导体器件和半导体器件的制备方法 [P]. 
曹堪宇 ;
杜国安 ;
邓放心 ;
曹宇 .
中国专利 :CN118973260B ,2025-02-07
[9]
半导体器件及其内部电压调整方法 [P]. 
朴宰范 ;
郑捀华 ;
李椙晛 .
中国专利 :CN108877866B ,2018-11-23
[10]
半导体器件和半导体器件系统 [P]. 
成田幸辉 .
日本专利 :CN111312705B ,2024-10-25
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