半导体用膜形成材料、半导体用构件形成材料、半导体用工序构件形成材料、下层膜形成材料、下层膜及半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202280048352.7

申请日：

2022-07-15

公开(公告)号：

CN117616337A

公开(公告)日：

2024-02-27

发明(设计)人：

斋藤广真村松洋亮铃木观月入泽正福

申请人：

株式会社艾迪科

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

G03F7/11

IPC分类号：

C08G61/12 C07D487/04

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

白丽

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-03-15	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G03F 7/11申请日:20220715
2024-02-27	公开	公开

共 50 条

[1]

绝缘膜形成材料,绝缘膜,形成绝缘膜的方法及半导体器件 [P].

中田义弘 ;

铃木克己 ;

杉浦岩 ;

矢野映 .

中国专利 :CN1189927C ,2003-05-07

[2]

光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜及图案形成方法 [P].

越后雅敏 ;

东原豪 ;

内山直哉 .

中国专利 :CN103733136A ,2014-04-16

[3]

光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜及图案形成方法 [P].

越后雅敏 ;

东原豪 ;

内山直哉 .

中国专利 :CN106094440A ,2016-11-09

[4]

半导体用膜组合物、半导体用膜组合物的制造方法、半导体用构件的制造方法、半导体用加工材料的制造方法以及半导体装置 [P].

茅场靖刚 ;

田中博文 ;

井上浩二 .

中国专利 :CN108352320A ,2018-07-31

[5]

半导体用膜组合物、半导体用膜组合物的制造方法、半导体用构件的制造方法、半导体用加工材料的制造方法以及半导体装置 [P].

茅场靖刚 ;

田中博文 ;

和知浩子 ;

小野升子 .

中国专利 :CN108292604A ,2018-07-17

[6]

半导体用粘合膜和半导体器件 [P].

金熹正 ;

罗努里 ;

金荣国 ;

李光珠 .

中国专利 :CN109478535B ,2019-03-15

[7]

抗蚀覆盖膜形成材料、形成抗蚀图的方法、半导体器件及其制造方法 [P].

野崎耕司 ;

小泽美和 .

中国专利 :CN101021682B ,2007-08-22

[8]

有机膜形成材料、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法、及图案形成方法 [P].

新井田惠介 ;

山本靖之 .

日本专利 :CN116162369B ,2024-03-08

[9]

酚醛系树脂以及光刻用下层膜形成材料 [P].

内山直哉 ;

东原豪 ;

越后雅敏 .

中国专利 :CN103619892A ,2014-03-05

[10]

化合物、光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜及图案形成方法 [P].

越后雅敏 ;

牧野岛高史 ;

内山直哉 .

中国专利 :CN104981463B ,2015-10-14

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