有机膜形成材料、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法、及图案形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211477433.7

申请日：

2022-11-23

公开(公告)号：

CN116162369B

公开(公告)日：

2024-03-08

发明(设计)人：

新井田惠介山本靖之

申请人：

信越化学工业株式会社

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C09D4/00

IPC分类号：

G03F7/09 G03F7/11 H01L21/027 G03F7/004

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇;李茂家

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-03-08	授权	授权

共 50 条

[1]

有机膜形成用材料、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法、以及图案形成方法 [P].

郡大佑 ;

泽村昂志 ;

新井田惠介 ;

橘诚一郎 ;

渡边武 ;

荻原勤 .

中国专利 :CN111995751A ,2020-11-27

[2]

有机膜形成用材料、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法、图案形成方法和化合物 [P].

郡大佑 ;

泽村昂志 .

日本专利 :CN118772680A ,2024-10-15

[3]

有机膜形成用组合物、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法及图案形成方法 [P].

荻原勤 ;

郡大佑 ;

橘诚一郎 ;

美谷岛祐介 ;

小林直贵 ;

野田和美 .

中国专利 :CN109960111B ,2019-07-02

[4]

有机膜形成用组合物、半导体装置制造用基板、有机膜形成方法、图案形成方法、及聚合物 [P].

郡大佑 ;

泽村昂志 ;

新井田惠介 ;

橘诚一郎 ;

渡边武 ;

荻原勤 .

日本专利 :CN112180686B ,2024-10-29

[5]

有机膜形成用组合物、半导体装置制造用基板、有机膜形成方法、图案形成方法、及聚合物 [P].

郡大佑 ;

泽村昂志 ;

新井田惠介 ;

橘诚一郎 ;

渡边武 ;

荻原勤 .

中国专利 :CN112180686A ,2021-01-05

[6]

化合物、有机膜形成用组合物、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法及图案形成方法 [P].

橘诚一郎 ;

渡边武 ;

新井田惠介 ;

长井洋子 ;

泽村昂志 ;

荻原勤 .

中国专利 :CN110317125B ,2019-10-11

[7]

有机膜形成用材料、基板、有机膜形成方法、图案形成方法及有机膜形成用化合物 [P].

郡大佑 ;

泽村昂志 ;

新井田惠介 ;

橘诚一郎 .

日本专利 :CN113433796B ,2024-12-13

[8]

有机膜形成用组合物、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法、图案形成方法及聚合物 [P].

郡大佑 ;

荻原勤 ;

渡边武 ;

新井田惠介 ;

泽村昂志 .

中国专利 :CN109426076B ,2019-03-05

[9]

有机膜形成用组合物、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法、图案形成方法及聚合物 [P].

郡大佑 ;

荻原勤 ;

渡边武 ;

新井田惠介 ;

泽村昂志 .

中国专利 :CN109426077B ,2019-03-05

[10]

有机膜形成用材料、基板、有机膜形成方法、图案形成方法及有机膜形成用化合物 [P].

郡大佑 ;

泽村昂志 ;

新井田惠介 ;

橘诚一郎 .

中国专利 :CN113433796A ,2021-09-24

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