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有机膜形成用组合物、半导体装置制造用基板、有机膜形成方法、图案形成方法、及聚合物

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010637312.9
申请日：
2020-07-03
公开(公告)号：
CN112180686B
公开(公告)日：
2024-10-29
发明(设计)人：
郡大佑 泽村昂志 新井田惠介 橘诚一郎 渡边武 荻原勤
申请人：
信越化学工业株式会社
申请人地址：
日本东京都
IPC主分类号：
G03F7/11
IPC分类号：
H01L21/027 G03F1/56 G03F1/76
代理机构：
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277
代理人：
刘新宇;李茂家
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-10-29 授权 授权
共 50 条
[1]
有机膜形成用组合物、半导体装置制造用基板、有机膜形成方法、图案形成方法、及聚合物 [P]. 
郡大佑 ;
泽村昂志 ;
新井田惠介 ;
橘诚一郎 ;
渡边武 ;
荻原勤 .
中国专利 :CN112180686A ,2021-01-05
[2]
有机膜形成用组合物、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法、图案形成方法及聚合物 [P]. 
郡大佑 ;
荻原勤 ;
渡边武 ;
新井田惠介 ;
泽村昂志 .
中国专利 :CN109426076B ,2019-03-05
[3]
有机膜形成用组合物、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法、图案形成方法及聚合物 [P]. 
郡大佑 ;
荻原勤 ;
渡边武 ;
新井田惠介 ;
泽村昂志 .
中国专利 :CN109426077B ,2019-03-05
[4]
化合物、有机膜形成用组合物、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法及图案形成方法 [P]. 
橘诚一郎 ;
渡边武 ;
新井田惠介 ;
长井洋子 ;
泽村昂志 ;
荻原勤 .
中国专利 :CN110317125B ,2019-10-11
[5]
有机膜形成用组合物、图案形成方法、以及聚合物 [P]. 
郡大佑 ;
石绵健汰 ;
山本靖之 ;
矢野俊治 .
中国专利 :CN112213919A ,2021-01-12
[6]
有机膜形成用组合物、图案形成方法、以及聚合物 [P]. 
郡大佑 ;
石绵健汰 ;
山本靖之 ;
矢野俊治 .
日本专利 :CN112213919B ,2024-09-27
[7]
有机膜形成用组成物、图案形成方法、以及聚合物 [P]. 
郡大佑 ;
泽村昂志 ;
石绵健汰 ;
中原贵佳 .
日本专利 :CN112034681B ,2024-08-20
[8]
有机膜形成用组成物、图案形成方法、以及聚合物 [P]. 
郡大佑 ;
泽村昂志 ;
石绵健汰 ;
中原贵佳 .
中国专利 :CN112034681A ,2020-12-04
[9]
有机膜形成用材料、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法、以及图案形成方法 [P]. 
郡大佑 ;
泽村昂志 ;
新井田惠介 ;
橘诚一郎 ;
渡边武 ;
荻原勤 .
中国专利 :CN111995751A ,2020-11-27
[10]
有机膜形成用组合物、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法及图案形成方法 [P]. 
荻原勤 ;
郡大佑 ;
橘诚一郎 ;
美谷岛祐介 ;
小林直贵 ;
野田和美 .
中国专利 :CN109960111B ,2019-07-02
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