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有机膜形成用组合物、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法、图案形成方法及聚合物

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201810985279.1
申请日：
2018-08-28
公开(公告)号：
CN109426076B
公开(公告)日：
2019-03-05
发明(设计)人：
郡大佑 荻原勤 渡边武 新井田惠介 泽村昂志
申请人：
申请人地址：
日本东京都
IPC主分类号：
G03F7004
IPC分类号：
G03F700 G03F709 H01L21027
代理机构：
北京路浩知识产权代理有限公司 11002
代理人：
张晶;谢顺星
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2019-03-29 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 7/004 申请日:20180828
2022-01-25 授权 授权
2019-03-05 公开 公开
共 50 条
[1]
有机膜形成用组合物、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法、图案形成方法及聚合物 [P]. 
郡大佑 ;
荻原勤 ;
渡边武 ;
新井田惠介 ;
泽村昂志 .
中国专利 :CN109426077B ,2019-03-05
[2]
有机膜形成用组合物、半导体装置制造用基板、有机膜形成方法、图案形成方法、及聚合物 [P]. 
郡大佑 ;
泽村昂志 ;
新井田惠介 ;
橘诚一郎 ;
渡边武 ;
荻原勤 .
日本专利 :CN112180686B ,2024-10-29
[3]
有机膜形成用组合物、半导体装置制造用基板、有机膜形成方法、图案形成方法、及聚合物 [P]. 
郡大佑 ;
泽村昂志 ;
新井田惠介 ;
橘诚一郎 ;
渡边武 ;
荻原勤 .
中国专利 :CN112180686A ,2021-01-05
[4]
有机膜形成用组合物、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法及图案形成方法 [P]. 
荻原勤 ;
郡大佑 ;
橘诚一郎 ;
美谷岛祐介 ;
小林直贵 ;
野田和美 .
中国专利 :CN109960111B ,2019-07-02
[5]
化合物、有机膜形成用组合物、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法及图案形成方法 [P]. 
橘诚一郎 ;
渡边武 ;
新井田惠介 ;
长井洋子 ;
泽村昂志 ;
荻原勤 .
中国专利 :CN110317125B ,2019-10-11
[6]
有机膜形成用材料、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法、以及图案形成方法 [P]. 
郡大佑 ;
泽村昂志 ;
新井田惠介 ;
橘诚一郎 ;
渡边武 ;
荻原勤 .
中国专利 :CN111995751A ,2020-11-27
[7]
有机膜形成用组成物、有机膜形成方法、图案形成方法、及聚合物 [P]. 
新井田惠介 ;
山本靖之 .
日本专利 :CN120829583A ,2025-10-24
[8]
有机膜形成用组成物、有机膜形成方法、图案形成方法及聚合物 [P]. 
郡大佑 ;
山本靖之 .
日本专利 :CN121115406A ,2025-12-12
[9]
有机膜形成用组成物、有机膜形成方法、图案形成方法、及聚合物 [P]. 
郡大佑 ;
山本靖之 .
日本专利 :CN119861530A ,2025-04-22
[10]
有机膜形成用材料、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法、图案形成方法和化合物 [P]. 
郡大佑 ;
泽村昂志 .
日本专利 :CN118772680A ,2024-10-15
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