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化合物、有机膜形成用组合物、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法及图案形成方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201910242725.4
申请日：
2019-03-28
公开(公告)号：
CN110317125B
公开(公告)日：
2019-10-11
发明(设计)人：
橘诚一郎 渡边武 新井田惠介 长井洋子 泽村昂志 荻原勤
申请人：
申请人地址：
日本东京都
IPC主分类号：
C07C3538
IPC分类号：
C07C2942 C07C6916 C07C6708 C07D33516 C07C43205 C07C4118 G03F7004 G03F711 G03F7115
代理机构：
北京路浩知识产权代理有限公司 11002
代理人：
张晶;谢顺星
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-08-19 授权 授权
2019-10-11 公开 公开
2019-11-05 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):C07C 35/38 申请日:20190328
共 50 条
[1]
有机膜形成用材料、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法、图案形成方法和化合物 [P]. 
郡大佑 ;
泽村昂志 .
日本专利 :CN118772680A ,2024-10-15
[2]
有机膜形成用组合物、半导体装置制造用基板、有机膜形成方法、图案形成方法、及聚合物 [P]. 
郡大佑 ;
泽村昂志 ;
新井田惠介 ;
橘诚一郎 ;
渡边武 ;
荻原勤 .
日本专利 :CN112180686B ,2024-10-29
[3]
有机膜形成用组合物、半导体装置制造用基板、有机膜形成方法、图案形成方法、及聚合物 [P]. 
郡大佑 ;
泽村昂志 ;
新井田惠介 ;
橘诚一郎 ;
渡边武 ;
荻原勤 .
中国专利 :CN112180686A ,2021-01-05
[4]
有机膜形成用组合物、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法及图案形成方法 [P]. 
荻原勤 ;
郡大佑 ;
橘诚一郎 ;
美谷岛祐介 ;
小林直贵 ;
野田和美 .
中国专利 :CN109960111B ,2019-07-02
[5]
有机膜形成用组合物、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法、图案形成方法及聚合物 [P]. 
郡大佑 ;
荻原勤 ;
渡边武 ;
新井田惠介 ;
泽村昂志 .
中国专利 :CN109426076B ,2019-03-05
[6]
有机膜形成用组合物、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法、图案形成方法及聚合物 [P]. 
郡大佑 ;
荻原勤 ;
渡边武 ;
新井田惠介 ;
泽村昂志 .
中国专利 :CN109426077B ,2019-03-05
[7]
有机膜形成用材料、基板、有机膜形成方法、图案形成方法及有机膜形成用化合物 [P]. 
郡大佑 ;
泽村昂志 ;
新井田惠介 ;
橘诚一郎 .
日本专利 :CN113433796B ,2024-12-13
[8]
有机膜形成用材料、基板、有机膜形成方法、图案形成方法及有机膜形成用化合物 [P]. 
郡大佑 ;
泽村昂志 ;
新井田惠介 ;
橘诚一郎 .
中国专利 :CN113433796A ,2021-09-24
[9]
有机膜形成用材料、基板、有机膜的形成方法、图案形成方法、及有机膜形成用化合物 [P]. 
郡大佑 ;
泽村昂志 .
日本专利 :CN114942568B ,2025-01-17
[10]
有机膜形成用材料、基板、有机膜的形成方法、图案形成方法、及有机膜形成用化合物 [P]. 
郡大佑 ;
泽村昂志 .
中国专利 :CN114942568A ,2022-08-26
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