有机膜形成用材料、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法、图案形成方法和化合物

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410427614.1

申请日：

2024-04-10

公开(公告)号：

CN118772680A

公开(公告)日：

2024-10-15

发明(设计)人：

郡大佑泽村昂志

申请人：

信越化学工业株式会社

申请人地址：

日本

IPC主分类号：

C09D4/00

IPC分类号：

G03F7/09 G03F7/16 G03F7/00 C09D7/20

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇;李茂家

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-01	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C09D 4/00申请日:20240410
2024-10-15	公开	公开

共 50 条

[1]

有机膜形成用材料、基板、有机膜形成方法、图案形成方法及有机膜形成用化合物 [P].

郡大佑 ;

泽村昂志 ;

新井田惠介 ;

橘诚一郎 .

日本专利 :CN113433796B ,2024-12-13

[2]

有机膜形成用材料、基板、有机膜形成方法、图案形成方法及有机膜形成用化合物 [P].

郡大佑 ;

泽村昂志 ;

新井田惠介 ;

橘诚一郎 .

中国专利 :CN113433796A ,2021-09-24

[3]

有机膜形成用材料、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法、以及图案形成方法 [P].

郡大佑 ;

泽村昂志 ;

新井田惠介 ;

橘诚一郎 ;

渡边武 ;

荻原勤 .

中国专利 :CN111995751A ,2020-11-27

[4]

有机膜形成用材料、基板、有机膜的形成方法、图案形成方法、及有机膜形成用化合物 [P].

郡大佑 ;

泽村昂志 .

日本专利 :CN114942568B ,2025-01-17

[5]

有机膜形成用材料、基板、有机膜的形成方法、图案形成方法、及有机膜形成用化合物 [P].

郡大佑 ;

泽村昂志 .

中国专利 :CN114942568A ,2022-08-26

[6]

化合物、有机膜形成用组合物、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法及图案形成方法 [P].

橘诚一郎 ;

渡边武 ;

新井田惠介 ;

长井洋子 ;

泽村昂志 ;

荻原勤 .

中国专利 :CN110317125B ,2019-10-11

[7]

有机膜形成用材料、有机膜的形成方法、图案形成方法、以及有机膜形成用化合物 [P].

郡大佑 ;

泽村昂志 ;

佐藤裕典 .

中国专利 :CN114380849A ,2022-04-22

[8]

有机膜形成用材料、基板、有机膜的形成方法、图案形成方法、以及有机膜形成用化合物 [P].

郡大佑 ;

新井田惠介 ;

泽村昂志 ;

渡边武 ;

橘诚一郎 ;

荻原勤 .

中国专利 :CN111825596A ,2020-10-27

[9]

有机膜形成用材料、基板、有机膜的形成方法、图案形成方法、以及有机膜形成用化合物 [P].

郡大佑 ;

新井田惠介 ;

泽村昂志 ;

橘诚一郎 ;

渡边武 ;

荻原勤 .

中国专利 :CN111825533A ,2020-10-27

[10]

有机膜形成用材料、基板、有机膜的形成方法、图案形成方法、以及有机膜形成用化合物 [P].

郡大佑 ;

新井田惠介 ;

泽村昂志 ;

渡边武 ;

橘诚一郎 ;

荻原勤 .

日本专利 :CN111825596B ,2024-03-08

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