有机膜形成用材料、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法、以及图案形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010451030.X

申请日：

2020-05-25

公开(公告)号：

CN111995751A

公开(公告)日：

2020-11-27

发明(设计)人：

郡大佑泽村昂志新井田惠介橘诚一郎渡边武荻原勤

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C08G7312

IPC分类号：

C08J518 H01L21308

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇;李茂家

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-12-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C08G 73/12 申请日:20200525
2020-11-27	公开	公开

共 50 条

[1]

有机膜形成用材料、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法、图案形成方法和化合物 [P].

郡大佑 ;

泽村昂志 .

日本专利 :CN118772680A ,2024-10-15

[2]

有机膜形成用材料、基板、有机膜的形成方法、图案形成方法、以及有机膜形成用化合物 [P].

郡大佑 ;

新井田惠介 ;

泽村昂志 ;

渡边武 ;

橘诚一郎 ;

荻原勤 .

中国专利 :CN111825596A ,2020-10-27

[3]

有机膜形成用材料、基板、有机膜的形成方法、图案形成方法、以及有机膜形成用化合物 [P].

郡大佑 ;

新井田惠介 ;

泽村昂志 ;

渡边武 ;

橘诚一郎 ;

荻原勤 .

日本专利 :CN111825596B ,2024-03-08

[4]

有机膜形成用材料、有机膜的形成方法、图案形成方法、以及有机膜形成用化合物 [P].

郡大佑 ;

泽村昂志 ;

佐藤裕典 .

中国专利 :CN114380849A ,2022-04-22

[5]

有机膜形成用材料、基板、有机膜的形成方法、图案形成方法、以及有机膜形成用化合物 [P].

郡大佑 ;

新井田惠介 ;

泽村昂志 ;

橘诚一郎 ;

渡边武 ;

荻原勤 .

中国专利 :CN111825533A ,2020-10-27

[6]

有机膜形成材料、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法、及图案形成方法 [P].

新井田惠介 ;

山本靖之 .

日本专利 :CN116162369B ,2024-03-08

[7]

有机膜形成用组合物、半导体装置制造用基板、有机膜形成方法、图案形成方法、及聚合物 [P].

郡大佑 ;

泽村昂志 ;

新井田惠介 ;

橘诚一郎 ;

渡边武 ;

荻原勤 .

日本专利 :CN112180686B ,2024-10-29

[8]

有机膜形成用组合物、半导体装置制造用基板、有机膜形成方法、图案形成方法、及聚合物 [P].

郡大佑 ;

泽村昂志 ;

新井田惠介 ;

橘诚一郎 ;

渡边武 ;

荻原勤 .

中国专利 :CN112180686A ,2021-01-05

[9]

有机膜形成用材料、有机膜的形成方法、图案形成方法、以及有机膜形成用化合物 [P].

郡大佑 ;

泽村昂志 ;

佐藤裕典 .

日本专利 :CN114380849B ,2024-05-24

[10]

有机膜形成用材料、基板、有机膜形成方法、图案形成方法及有机膜形成用化合物 [P].

郡大佑 ;

泽村昂志 ;

新井田惠介 ;

橘诚一郎 .

日本专利 :CN113433796B ,2024-12-13

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