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氧化膜的原子层沉积方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202111644529.3
申请日：
2021-12-30
公开(公告)号：
CN114836730B
公开(公告)日：
2024-01-02
发明(设计)人：
何亚东
刘力挽
王伟哲
稂耘
王新胜
申请人：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址：
430074 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区未来三路88号
IPC主分类号：
C23C16/40
IPC分类号：
C23C16/455
代理机构：
北京成创同维知识产权代理有限公司 11449
代理人：
岳丹丹
法律状态：
授权
国省代码：
河北省
石家庄市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-01-02 | 授权 | 授权 |